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    漏源电压: 20V
    包装方式: 卷带(TR)
    阈值电压: 1.3V@250µA
    行业应用: 工业
    工作温度: -55℃~150℃
    当前匹配商品:400+
    商品信息
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    onsemi Mosfet场效应管 NTK3043NT5G 起订11个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3043NT5G 起订11个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTK3043NT5G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11pF@10V

    连续漏极电流:210mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4Ω@10mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDT670UPE,115 起订5个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDT670UPE,115 起订5个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMDT670UPE,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:87pF@10V

    连续漏极电流:550mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:850mΩ@400mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1403BDL-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1403BDL-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1403BDL-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:4.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3413L-7 起订38个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3413L-7 起订38个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG3413L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:857pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:95mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25485F5 起订13个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25485F5 起订13个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25485F5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:533pF@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:35mΩ@900mA,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDT670UPE,115 起订4000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDT670UPE,115 起订4000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMDT670UPE,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:87pF@10V

    连续漏极电流:550mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:850mΩ@400mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2007UFG-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2007UFG-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2007UFG-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4621pF@10V

    连续漏极电流:18A€40A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1403BDL-T1-BE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1403BDL-T1-BE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1403BDL-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:568mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:4.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDT670UPE,115 起订5个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDT670UPE,115 起订5个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMDT670UPE,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:87pF@10V

    连续漏极电流:550mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:850mΩ@400mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDY300NZ 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDY300NZ 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDY300NZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:1.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60pF@10V

    连续漏极电流:600mA

    类型:N沟道

    导通电阻:700mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1403BDL-T1-BE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1403BDL-T1-BE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1403BDL-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:568mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:4.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2007UFG-7 起订2000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2007UFG-7 起订2000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2007UFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4621pF@10V

    连续漏极电流:18A€40A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMS2120LFWB-7 起订17个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMS2120LFWB-7 起订17个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMS2120LFWB-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:632pF@10V

    连续漏极电流:2.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:95mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMS2220LFDB-7 起订24个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMS2220LFDB-7 起订24个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMS2220LFDB-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:632pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:95mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1403BDL-T1-BE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1403BDL-T1-BE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1403BDL-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:568mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:4.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3043NT1G 起订101个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3043NT1G 起订101个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTK3043NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11pF@10V

    连续漏极电流:210mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4Ω@10mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN22M5UFG-7 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN22M5UFG-7 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN22M5UFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:99nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3926pF@10V

    连续漏极电流:24A€27A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@13.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3043NT1G 起订7962个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3043NT1G 起订7962个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":24000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTK3043NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11pF@10V

    连续漏极电流:210mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4Ω@10mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3043NT5G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3043NT5G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTK3043NT5G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11pF@10V

    连续漏极电流:210mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4Ω@10mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMS2220LFDB-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMS2220LFDB-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMS2220LFDB-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:632pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:95mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB670UPE,315 起订2000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB670UPE,315 起订2000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZB670UPE,315

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW€2.7W

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:87pF@10V

    连续漏极电流:680mA

    类型:P沟道

    导通电阻:850mΩ@400mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2027UPS-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2027UPS-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2027UPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1091pF@10V

    连续漏极电流:10A€36A

    类型:N沟道

    导通电阻:12.5mΩ@9.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2007UFG-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2007UFG-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2007UFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4621pF@10V

    连续漏极电流:18A€40A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2028USS-13 起订8个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2028USS-13 起订8个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2028USS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:11.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@10V

    连续漏极电流:7.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@9.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMS2120LFWB-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMS2120LFWB-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMS2120LFWB-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:632pF@10V

    连续漏极电流:2.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:95mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2028USS-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2028USS-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2028USS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:11.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@10V

    连续漏极电流:7.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@9.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3043NT1G 起订4000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3043NT1G 起订4000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTK3043NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11pF@10V

    连续漏极电流:210mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4Ω@10mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2027UPS-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2027UPS-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2027UPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1091pF@10V

    连续漏极电流:10A€36A

    类型:N沟道

    导通电阻:12.5mΩ@9.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8499DB-T2-E1 起订11个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8499DB-T2-E1 起订11个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8499DB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.77W€13W

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:30nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@10V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3043NT5G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3043NT5G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTK3043NT5G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11pF@10V

    连续漏极电流:210mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4Ω@10mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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