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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：750，"09+"：18000，"10+"：30000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGS3441BT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN30UNEX
工作温度：-55℃~150℃
功率：530mW€4.46W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：558pF@10V
连续漏极电流：4.8A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@4.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN30UNEX
工作温度：-55℃~150℃
功率：530mW€4.46W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：558pF@10V
连续漏极电流：4.8A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@4.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN30UNEX
工作温度：-55℃~150℃
功率：530mW€4.46W
阈值电压：900mV@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：558pF@10V
连续漏极电流：4.8A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@4.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN30UNEX
工作温度：-55℃~150℃
功率：530mW€4.46W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
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输入电容：558pF@10V
连续漏极电流：4.8A
类型：N沟道
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMN30UNEX
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功率：530mW€4.46W
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类型：N沟道
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规格型号(MPN)：PMN30UNEX
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类型：N沟道
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品牌：ON SEMI
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行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：750，"09+"：18000，"10+"：30000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGS3441BT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN30UNEX
工作温度：-55℃~150℃
功率：530mW€4.46W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：558pF@10V
连续漏极电流：4.8A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@4.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN30UNEX
工作温度：-55℃~150℃
功率：530mW€4.46W
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMN30UNEX
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGS3441BT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：9nC@4.5V
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输入电容：630pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@3A，4.5V
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN30UNEX
工作温度：-55℃~150℃
功率：530mW€4.46W
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输入电容：558pF@10V
连续漏极电流：4.8A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@4.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN30UNEX
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
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功率：530mW€4.46W
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漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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行业应用：工业,汽车
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行业应用：工业,汽车
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功率：530mW€4.46W
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功率：530mW€4.46W
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMN30UNEX
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类型：N沟道
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN30UNEX
工作温度：-55℃~150℃
功率：530mW€4.46W
阈值电压：900mV@250µA
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连续漏极电流：4.8A
类型：N沟道
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN30UNEX
工作温度：-55℃~150℃
功率：530mW€4.46W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：558pF@10V
连续漏极电流：4.8A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@4.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN30UNEX
工作温度：-55℃~150℃
功率：530mW€4.46W
阈值电压：900mV@250µA
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包装方式：卷带（TR）
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类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@4.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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