品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2004VK-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:175pF@16V
连续漏极电流:530mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:900mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMH950UPEH
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW€2.2W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.5nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36pF@10V
连续漏极电流:530mA
类型:P沟道
导通电阻:1.4Ω@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMH950UPEH
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW€2.2W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.5nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36pF@10V
连续漏极电流:530mA
类型:P沟道
导通电阻:1.4Ω@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMH950UPEH
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW€2.2W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.5nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36pF@10V
连续漏极电流:530mA
类型:P沟道
导通电阻:1.4Ω@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMH950UPEH
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW€2.2W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.5nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36pF@10V
连续漏极电流:530mA
类型:P沟道
导通电阻:1.4Ω@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1062X-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:220mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:2.7nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:43pF@10V
连续漏极电流:530mA
类型:N沟道
导通电阻:420mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMH950UPEH
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW€2.2W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.5nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36pF@10V
连续漏极电流:530mA
类型:P沟道
导通电阻:1.4Ω@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMH950UPEH
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW€2.2W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.5nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36pF@10V
连续漏极电流:530mA
类型:P沟道
导通电阻:1.4Ω@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1062X-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:220mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:2.7nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:43pF@10V
连续漏极电流:530mA
类型:N沟道
导通电阻:420mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMH950UPEH
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW€2.2W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.5nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36pF@10V
连续漏极电流:530mA
类型:P沟道
导通电阻:1.4Ω@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP22D5UFO-7B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:340mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:300pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:17pF@16V
连续漏极电流:530mA
类型:1个P沟道
导通电阻:1.9Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1062X-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:220mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.7nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:43pF@10V
连续漏极电流:530mA
类型:N沟道
导通电阻:420mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2004VK-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:175pF@16V
连续漏极电流:530mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:900mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2004VK-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:175pF@16V
连续漏极电流:530mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:900mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2004VK-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:175pF@16V
连续漏极电流:530mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:900mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP22D5UFO-7B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:340mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:300pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:17pF@16V
连续漏极电流:530mA
类型:1个P沟道
导通电阻:1.9Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2004VK-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:175pF@16V
连续漏极电流:530mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:900mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP22D5UFO-7B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:340mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:300pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:17pF@16V
连续漏极电流:530mA
类型:1个P沟道
导通电阻:1.9Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2004VK-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:175pF@16V
连续漏极电流:530mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:900mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP22D5UFO-7B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:340mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:300pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:17pF@16V
连续漏极电流:530mA
类型:1个P沟道
导通电阻:1.9Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP22D5UFO-7B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:340mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:300pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:17pF@16V
连续漏极电流:530mA
类型:1个P沟道
导通电阻:1.9Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2004VK-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:175pF@16V
连续漏极电流:530mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:900mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1062X-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:220mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.7nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:43pF@10V
连续漏极电流:530mA
类型:N沟道
导通电阻:420mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMH950UPEH
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW€2.2W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.5nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36pF@10V
连续漏极电流:530mA
类型:P沟道
导通电阻:1.4Ω@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMH950UPEH
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW€2.2W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.5nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36pF@10V
连续漏极电流:530mA
类型:P沟道
导通电阻:1.4Ω@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2004VK-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:175pF@16V
连续漏极电流:530mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:900mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1062X-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:220mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:2.7nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:43pF@10V
连续漏极电流:530mA
类型:N沟道
导通电阻:420mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMH950UPEH
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW€2.2W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.5nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36pF@10V
连续漏极电流:530mA
类型:P沟道
导通电阻:1.4Ω@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP22D5UFO-7B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:340mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:300pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:17pF@16V
连续漏极电流:530mA
类型:1个P沟道
导通电阻:1.9Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP22D5UFO-7B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:340mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:300pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:17pF@16V
连续漏极电流:530mA
类型:1个P沟道
导通电阻:1.9Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: