品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB406EDK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.95W€10W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@3.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3433CDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W€3.3W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:38mΩ@5.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS903DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.6W€23W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2565pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:20.1mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STL6N2VH5
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:550pF@16V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J801R,LF
工作温度:150℃
功率:1.5W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:32.5mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3420
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:8.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:630pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@6A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3433CDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W€3.3W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:38mΩ@5.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL6N2VH5
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:550pF@16V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5457DC-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.7W
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:36mΩ@4.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3433CDV-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:38mΩ@5.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5457DC-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.7W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:36mΩ@4.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON3814L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:17mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J328R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:12.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:29.8mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2035UVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:23.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2400pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2040U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:7.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:667pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@8.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5C060BCTCL
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@1mA
栅极电荷:19.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1360pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:21.1mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2035UVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:23.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2400pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME510PZT
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:22nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1490pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:37mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G6N02L
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:12.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1140pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:11.3mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2312CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€2.1W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:18nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:865pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:31.8mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2312CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€2.1W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:18nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:865pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:31.8mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5C060BCTCL
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@1mA
栅极电荷:19.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1360pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:21.1mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J801R,LF
工作温度:150℃
功率:1.5W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:32.5mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J801R,LF
工作温度:150℃
功率:1.5W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:32.5mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3420
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:8.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:630pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@6A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2323CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€2.5W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1090pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@4.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2323CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€2.5W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1090pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@4.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J801R,LF
工作温度:150℃
功率:1.5W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:32.5mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5457DC-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.7W
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:36mΩ@4.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5471DC-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€6.3W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:96nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2945pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@9.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: