采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2215L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.08W
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：5.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1467DH-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W€2.78W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：13.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：561pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：2200，"20+"：3000，"22+"：24000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMFPB8032XP，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：485mW€6.25W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：8.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：102mΩ@2.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1469DH-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W€2.78W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@2A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1469DH-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W€2.78W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@2A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1467DH-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W€2.78W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：13.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：561pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2215L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.08W
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：5.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2215L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.08W
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：5.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1469DH-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W€2.78W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@2A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1469DH-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W€2.78W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@2A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1467DH-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W€2.78W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：13.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：561pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1469DH-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W€2.78W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@2A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1467DH-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W€2.78W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：13.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：561pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMFPB8032XP，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：485mW€6.25W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：102mΩ@2.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1469DH-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W€2.78W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@2A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC6305N
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：80mΩ@2.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC6305N
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：80mΩ@2.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC6305N
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：80mΩ@2.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC6305N
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：80mΩ@2.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC6305N
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：80mΩ@2.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1467DH-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W€2.78W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：13.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：561pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC6305N
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：80mΩ@2.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC6305N
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：80mΩ@2.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC6305N
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：80mΩ@2.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC6305N
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：80mΩ@2.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1467DH-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W€2.78W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：13.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：561pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC6305N
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：80mΩ@2.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8823EDB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8823EDB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8823EDB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
