品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSH205G2AR
工作温度:-55℃~175℃
功率:610mW€10W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:421pF@10V
连续漏极电流:2.6A
类型:P沟道
导通电阻:118mΩ@2.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):BSH205G2AR
工作温度:-55℃~175℃
功率:610mW€10W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:421pF@10V
连续漏极电流:2.6A
类型:P沟道
导通电阻:118mΩ@2.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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分类:Mosfet场效应管
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功率:610mW€10W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:421pF@10V
连续漏极电流:2.6A
类型:P沟道
导通电阻:118mΩ@2.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@4.5V
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类型:P沟道
导通电阻:118mΩ@2.6A,4.5V
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分类:Mosfet场效应管
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功率:610mW€10W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:421pF@10V
连续漏极电流:2.6A
类型:P沟道
导通电阻:118mΩ@2.6A,4.5V
漏源电压:20V
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行业应用:工业,汽车
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ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@4.5V
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连续漏极电流:2.6A
类型:P沟道
导通电阻:118mΩ@2.6A,4.5V
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包装清单:商品主体 * 1
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规格型号(MPN):BSH205G2AR
工作温度:-55℃~175℃
功率:610mW€10W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:421pF@10V
连续漏极电流:2.6A
类型:P沟道
导通电阻:118mΩ@2.6A,4.5V
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包装清单:商品主体 * 1
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行业应用:工业,汽车
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功率:610mW€10W
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规格型号(MPN):BSH205G2AR
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功率:610mW€10W
阈值电压:900mV@250µA
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输入电容:421pF@10V
连续漏极电流:2.6A
类型:P沟道
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阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@4.5V
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类型:P沟道
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功率:610mW€10W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:7nC@4.5V
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输入电容:421pF@10V
连续漏极电流:2.6A
类型:P沟道
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包装清单:商品主体 * 1
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规格型号(MPN):BSH205G2AR
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功率:610mW€10W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:2.6A
类型:P沟道
导通电阻:118mΩ@2.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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规格型号(MPN):BSH205G2AR
工作温度:-55℃~175℃
功率:610mW€10W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:421pF@10V
连续漏极电流:2.6A
类型:P沟道
导通电阻:118mΩ@2.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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规格型号(MPN):BSH205G2AR
工作温度:-55℃~175℃
功率:610mW€10W
阈值电压:900mV@250µA
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包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:2.6A
类型:P沟道
导通电阻:118mΩ@2.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
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销售单位:个
规格型号(MPN):BSH205G2AR
工作温度:-55℃~175℃
功率:610mW€10W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:7nC@4.5V
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连续漏极电流:2.6A
类型:P沟道
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规格型号(MPN):BSH205G2AR
工作温度:-55℃~175℃
功率:610mW€10W
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ECCN:EAR99
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包装清单:商品主体 * 1
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品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSH205G2AR
包装方式:卷带(TR)
输入电容:421pF@10V
阈值电压:900mV@250µA
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工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
功率:610mW€10W
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漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSH205G2AR
包装方式:卷带(TR)
输入电容:421pF@10V
阈值电压:900mV@250µA
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类型:P沟道
功率:610mW€10W
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包装清单:商品主体 * 1
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品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSH205G2AR
工作温度:-55℃~175℃
功率:610mW€10W
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包装清单:商品主体 * 1
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品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSH205G2AR
工作温度:-55℃~175℃
功率:610mW€10W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
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类型:P沟道
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包装清单:商品主体 * 1
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品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSH205G2AR
工作温度:-55℃~175℃
功率:610mW€10W
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类型:P沟道
导通电阻:118mΩ@2.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSH205G2AR
包装方式:卷带(TR)
输入电容:421pF@10V
阈值电压:900mV@250µA
连续漏极电流:2.6A
导通电阻:118mΩ@2.6A,4.5V
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类型:P沟道
功率:610mW€10W
栅极电荷:7nC@4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSH205G2AR
阈值电压:900mV@250μA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:421pF@10V
连续漏极电流:2.6A
导通电阻:118mΩ@2.6A,4.5V
功率:610mW€10W
工作温度:-55℃~+175℃
栅极电荷:7nC@4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
类型:1个P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSH205G2AR
阈值电压:900mV@250μA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:421pF@10V
连续漏极电流:2.6A
导通电阻:118mΩ@2.6A,4.5V
功率:610mW€10W
工作温度:-55℃~+175℃
栅极电荷:7nC@4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
类型:1个P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存: