采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM650P02CX RFG
工作温度：150℃
功率：1.56W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：515pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM650P02CX RFG
工作温度：150℃
功率：1.56W
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：5.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：515pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM650P02CX RFG
工作温度：150℃
功率：1.56W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：515pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM650P02CX RFG
工作温度：150℃
功率：1.56W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：515pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM650P02CX RFG
工作温度：150℃
功率：1.56W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：515pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM650P02CX RFG
工作温度：150℃
功率：1.56W
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：5.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：515pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM650P02CX RFG
工作温度：150℃
功率：1.56W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：515pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM650P02CX RFG
工作温度：150℃
功率：1.56W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：515pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM650P02CX RFG
工作温度：150℃
功率：1.56W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：515pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM650P02CX RFG
工作温度：150℃
功率：1.56W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：515pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM650P02CX RFG
工作温度：150℃
功率：1.56W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：515pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM650P02CX RFG
工作温度：150℃
功率：1.56W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：515pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM650P02CX RFG
工作温度：150℃
功率：1.56W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：515pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM650P02CX RFG
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
输入电容：515pF@10V
连续漏极电流：4.1A
功率：1.56W
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3A，4.5V
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：5.1nC@4.5V
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM650P02CX RFG
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
输入电容：515pF@10V
连续漏极电流：4.1A
功率：1.56W
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3A，4.5V
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：5.1nC@4.5V
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM650P02CX RFG
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
输入电容：515pF@10V
连续漏极电流：4.1A
功率：1.56W
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3A，4.5V
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：5.1nC@4.5V
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2047UCB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：218pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：47mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN48XP，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：530mW€6.25W
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2047UCB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：2.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：218pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：47mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN48XP，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：530mW€6.25W
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN48XP，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：530mW€6.25W
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2047UCB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：218pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：47mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2047UCB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：218pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：47mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN48XP，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：530mW€6.25W
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2047UCB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：218pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：47mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2047UCB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：2.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：218pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：47mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：36000，"22+"：36000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN48XP，125
工作温度：-55℃~150℃
功率：530mW€6.25W
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN48XPAX
工作温度：-55℃~150℃
功率：530mW€6.25W
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN48XP，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：530mW€6.25W
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN48XPAX
工作温度：-55℃~150℃
功率：530mW€6.25W
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
