采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDPB30XNZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW€8.33W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDPB30XNZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW€8.33W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2400UV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：530mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@16V
连续漏极电流：1.33A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：480mΩ@200mA，5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDPB30XN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO7800
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@10V
连续漏极电流：900mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：300mΩ@900mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1024X-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：485mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：700mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2400UV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：530mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@16V
连续漏极电流：1.33A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：480mΩ@200mA，5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2400UV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：530mW
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@16V
连续漏极电流：1.33A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：480mΩ@200mA，5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG9926USD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：867pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：24mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2400UV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：530mW
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@16V
连续漏极电流：1.33A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：480mΩ@200mA，5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2041UVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：689pF@10V
连续漏极电流：5.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：28mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1024X-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：485mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：700mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2400UV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：530mW
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@16V
连续漏极电流：1.33A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：480mΩ@200mA，5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG9926USD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：867pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：24mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG9926USD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：867pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：24mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG9926USD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：867pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：24mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG9926USD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：867pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：24mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDPB30XN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDPB30XN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG9926USD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：867pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：24mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO7800
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@10V
连续漏极电流：900mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：300mΩ@900mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG9926USD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：867pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：24mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1024X-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：485mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：700mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2041UVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：689pF@10V
连续漏极电流：5.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：28mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2400UV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：530mW
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@16V
连续漏极电流：1.33A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：480mΩ@200mA，5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDPB30XNZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW€8.33W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2041UVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：689pF@10V
连续漏极电流：5.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：28mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG9926USD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：867pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：24mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO7800
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@10V
连续漏极电流：900mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：300mΩ@900mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO7800
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@10V
连续漏极电流：900mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：300mΩ@900mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
