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    onsemi Mosfet场效应管 NTJS4151PT1G 起订1575个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTJS4151PT1G 起订1575个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":4455,"20+":1633}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTJS4151PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:850pF@10V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:60mΩ@3.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2B14FHTA 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2B14FHTA 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2B14FHTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:11nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:872pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:55mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 SI2300-TP 起订6个装
    MCC Mosfet场效应管 SI2300-TP 起订6个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2300-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:482pF@10V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2047UCB4-7 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2047UCB4-7 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2047UCB4-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:218pF@10V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:47mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6J412TU,LF 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6J412TU,LF 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J412TU,LF

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:12.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:42.7mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2100UDM-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2100UDM-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2100UDM-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:555pF@10V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:55mΩ@6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RA1C030LDT5CL 起订4个装
    ROHM Mosfet场效应管 RA1C030LDT5CL 起订4个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RA1C030LDT5CL

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:140mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 TT8K1TR 起订5个装
    ROHM Mosfet场效应管 TT8K1TR 起订5个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TT8K1TR

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:260pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:72mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RA1C030LDT5CL 起订4个装
    ROHM Mosfet场效应管 RA1C030LDT5CL 起订4个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RA1C030LDT5CL

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:140mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTJS4151PT1G 起订36个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTJS4151PT1G 起订36个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTJS4151PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:850pF@10V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:60mΩ@3.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 SCH1343-TL-H 起订2466个装
    onsemi Mosfet场效应管 SCH1343-TL-H 起订2466个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":110000,"13+":795000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCH1343-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:1W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1220pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:72mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2047UCB4-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2047UCB4-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2047UCB4-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:2.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:218pF@10V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:47mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 SCH1332-TL-W 起订3206个装
    onsemi Mosfet场效应管 SCH1332-TL-W 起订3206个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":12886}

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCH1332-TL-W

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:375pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:95mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2A14FTA 起订9个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2A14FTA 起订9个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2A14FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:700mV@250µA

    栅极电荷:6.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:544pF@10V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@3.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J328R,LF 起订44个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J328R,LF 起订44个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J328R,LF

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:12.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:29.8mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5C060BCTCL 起订6个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5C060BCTCL 起订6个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ5C060BCTCL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.2V@1mA

    栅极电荷:19.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1360pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:21.1mΩ@6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25213W10 起订8个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25213W10 起订8个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25213W10

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:2.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:478pF@10V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:47mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2A14FTA 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2A14FTA 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2A14FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:700mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:544pF@10V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@3.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6P49NU,LF 起订100个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6P49NU,LF 起订100个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6P49NU,LF

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.2V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:480pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:45mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6P49NU,LF 起订500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6P49NU,LF 起订500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6P49NU,LF

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.2V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:480pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:45mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 MCH3477-TL-H 起订870个装
    onsemi Mosfet场效应管 MCH3477-TL-H 起订870个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":530700,"15+":180000,"21+":3000,"9999":517}

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCH3477-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:1W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:410pF@10V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 SCH1345-TL-H 起订2914个装
    onsemi Mosfet场效应管 SCH1345-TL-H 起订2914个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":17077,"17+":740000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCH1345-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1220pF@10V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:49mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5C060BCTCL 起订12个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5C060BCTCL 起订12个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ5C060BCTCL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.2V@1mA

    栅极电荷:19.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1360pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:21.1mΩ@6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RA1C030LDT5CL 起订2000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RA1C030LDT5CL 起订2000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RA1C030LDT5CL

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:140mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 2301 起订12个装
    谷峰 Mosfet场效应管 2301 起订12个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2301

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:12nC@2.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:405pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:56mΩ@1.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 US6K4TR 起订50个装
    ROHM Mosfet场效应管 US6K4TR 起订50个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):US6K4TR

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:110pF@10V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:180mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RF6C055BCTCR 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RF6C055BCTCR 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RF6C055BCTCR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.2V@1mA

    栅极电荷:15.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1080pF@10V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:25.8mΩ@5.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6J501NU,LF 起订100个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6J501NU,LF 起订100个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J501NU,LF

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2600pF@10V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:15.3mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RA1C030LDT5CL 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RA1C030LDT5CL 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RA1C030LDT5CL

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:140mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2B14FHTA 起订1500个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2B14FHTA 起订1500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2B14FHTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:11nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:872pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:55mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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