品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC3J018NUZTDG
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:23A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:4.7mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON3814L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:17mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC3J018NUZTDG
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:23A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:4.7mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC3J018NUZTDG
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:23A
类型:2N沟道(双)共漏
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漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC3J018NUZTDG
工作温度:150℃
功率:2.5W
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ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:23A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:4.7mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC3J018NUZTDG
工作温度:150℃
功率:2.5W
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ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:23A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:4.7mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
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库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON3814
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
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输入电容:1100pF@10V
类型:2N沟道(双)共漏
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC3J018NUZTDG
工作温度:150℃
功率:2.5W
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ECCN:EAR99
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类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:4.7mΩ@5A,4.5V
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC3J018NUZTDG
工作温度:150℃
功率:2.5W
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ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:23A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:4.7mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC3J018NUZTDG
工作温度:150℃
功率:2.5W
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ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:23A
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库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON3814
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@10V
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:17mΩ@6A,4.5V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON3814
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规格型号(MPN):AON3814
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):AON3814L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.1V@250µA
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输入电容:1100pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:17mΩ@6A,4.5V
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包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):EFC3J018NUZTDG
工作温度:150℃
功率:2.5W
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ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:23A
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规格型号(MPN):AON3814
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@10V
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:17mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
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工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:23A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:4.7mΩ@5A,4.5V
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包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):AON3814L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
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类型:2N沟道(双)共漏
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销售单位:个
规格型号(MPN):AON3814
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@10V
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:17mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC3J018NUZTDG
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:23A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:4.7mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC3J018NUZTDG
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:23A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:4.7mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC3J018NUZTDG
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:23A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:4.7mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC3J018NUZTDG
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:23A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:4.7mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON3814
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:17mΩ@6A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
漏源电压:20V
输入电容:1100pF@10V
类型:2N沟道(双)共漏
阈值电压:1.1V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC3J018NUZTDG
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
功率:2.5W
漏源电压:20V
导通电阻:4.7mΩ@5A,4.5V
连续漏极电流:23A
类型:2N沟道(双)共漏
阈值电压:1.3V@1mA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON3814L
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:17mΩ@6A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
漏源电压:20V
输入电容:1100pF@10V
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类型:2N沟道(双)共漏
阈值电压:1.1V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON3814
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@10V
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:17mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON3814
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.1V@250µA
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输入电容:1100pF@10V
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:17mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON3814
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:17mΩ@6A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
漏源电压:20V
输入电容:1100pF@10V
类型:2N沟道(双)共漏
阈值电压:1.1V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC3J018NUZTDG
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
功率:2.5W
漏源电压:20V
导通电阻:4.7mΩ@5A,4.5V
连续漏极电流:23A
类型:2N沟道(双)共漏
阈值电压:1.3V@1mA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
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