品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMCPB5530X,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:490mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@10V
连续漏极电流:4A€3.4A
类型:N和P沟道
导通电阻:34mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2110UW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:490mW
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:443pF@6V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDPB30XN,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:490mW
阈值电压:900mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:40mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2110UW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:490mW
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:443pF@6V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2110UW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:490mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:443pF@6V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMCPB5530X,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:490mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@10V
连续漏极电流:4A€3.4A
类型:N和P沟道
导通电阻:34mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMCPB5530X,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:490mW
阈值电压:900mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@10V
连续漏极电流:4A€3.4A
类型:N和P沟道
导通电阻:34mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2110UW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:490mW
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:443pF@6V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDPB55XP,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:490mW
阈值电压:900mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:785pF@10V
连续漏极电流:3.4A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:70mΩ@3.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDPB55XP,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:490mW
阈值电压:900mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:785pF@10V
连续漏极电流:3.4A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:70mΩ@3.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP21D0UFD-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:490mW
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:80pF@10V
连续漏极电流:820mA
类型:P沟道
导通电阻:495mΩ@800mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV33UPE,215
工作温度:-55℃~150℃
功率:490mW
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1820pF@10V
连续漏极电流:4.4A
类型:P沟道
导通电阻:36mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV65UNER
工作温度:-55℃~150℃
功率:490mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:291pF@10V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:73mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP21D0UFD-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:490mW
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:80pF@10V
连续漏极电流:820mA
类型:P沟道
导通电阻:495mΩ@800mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV65UNER
工作温度:-55℃~150℃
功率:490mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:291pF@10V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:73mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV33UPE,215
工作温度:-55℃~150℃
功率:490mW
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1820pF@10V
连续漏极电流:4.4A
类型:P沟道
导通电阻:36mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDPB30XN,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:490mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:40mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDPB30XN,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:490mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:40mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP21D0UFD-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:490mW
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:80pF@10V
连续漏极电流:820mA
类型:P沟道
导通电阻:495mΩ@800mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV65UNER
工作温度:-55℃~150℃
功率:490mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:291pF@10V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:73mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV65UNER
工作温度:-55℃~150℃
功率:490mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:291pF@10V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:73mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMCPB5530X,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:490mW
阈值电压:900mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@10V
连续漏极电流:4A€3.4A
类型:N和P沟道
导通电阻:34mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV65UNER
工作温度:-55℃~150℃
功率:490mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:291pF@10V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:73mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP21D0UFD-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:490mW
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:80pF@10V
连续漏极电流:820mA
类型:P沟道
导通电阻:495mΩ@800mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV65UNER
工作温度:-55℃~150℃
功率:490mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:291pF@10V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:73mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2110UW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:490mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:443pF@6V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV33UPE,215
工作温度:-55℃~150℃
功率:490mW
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1820pF@10V
连续漏极电流:4.4A
类型:P沟道
导通电阻:36mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMCPB5530X,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:490mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@10V
连续漏极电流:4A€3.4A
类型:N和P沟道
导通电阻:34mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2110UW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:490mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:443pF@6V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMCPB5530X,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:490mW
阈值电压:900mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@10V
连续漏极电流:4A€3.4A
类型:N和P沟道
导通电阻:34mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: