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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA445EDJT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2180pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：16.7mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIA445EDJT-T1-GE3
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功率：19W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2180pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
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功率：19W
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栅极电荷：69nC@10V
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类型：P沟道
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功率：19W
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类型：P沟道
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规格型号(MPN)：SIA445EDJT-T1-GE3
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功率：19W
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类型：P沟道
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输入电容：2180pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：16.7mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA445EDJT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2180pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：16.7mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1630
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA445EDJT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2180pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：16.7mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA445EDJT-T1-GE3
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：2180pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：16.7mΩ@7A，4.5V
栅极电荷：69nC@10V
漏源电压：20V
功率：19W
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA445EDJT-T1-GE3
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：2180pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：16.7mΩ@7A，4.5V
栅极电荷：69nC@10V
漏源电压：20V
功率：19W
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA445EDJ-T1-GE3
功率：19W
阈值电压：1.2V@250μA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：16.5mΩ@4.5V，7A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1630
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA445EDJT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2180pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：16.7mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1630
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA445EDJT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2180pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：16.7mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1630
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA445EDJT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2180pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：16.7mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1630
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA445EDJT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2180pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：16.7mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA445EDJT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2180pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：16.7mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA445EDJT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2180pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：16.7mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1630
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA445EDJT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2180pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：16.7mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1630
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA445EDJT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2180pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：16.7mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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