首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    漏源电压
    20V
    包装方式
    功率
    类型
    行业应用
    连续漏极电流
    漏源电压: 20V
    包装方式: 卷带(TR)
    功率: 625mW
    类型: P沟道
    当前匹配商品:60+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    onsemi Mosfet场效应管 FDY102PZ 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDY102PZ 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDY102PZ

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:135pF@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:830mA

    导通电阻:500mΩ@830mA,4.5V

    类型:P沟道

    栅极电荷:3.1nC@4.5V

    阈值电压:1V@250µA

    功率:625mW

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61P02FTA 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61P02FTA 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM61P02FTA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:600mΩ@610mA,4.5V

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    类型:P沟道

    输入电容:150pF@15V

    功率:625mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    连续漏极电流:900mA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61P02FTA 起订6000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61P02FTA 起订6000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM61P02FTA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:600mΩ@610mA,4.5V

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    类型:P沟道

    输入电容:150pF@15V

    功率:625mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    连续漏极电流:900mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61P02FTA 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61P02FTA 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM61P02FTA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:600mΩ@610mA,4.5V

    连续漏极电流:0.9A

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    输入电容:150pF@15V

    类型:P-Channel

    功率:625mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61P02FTA 起订75个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61P02FTA 起订75个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM61P02FTA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:600mΩ@610mA,4.5V

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    类型:P沟道

    输入电容:150pF@15V

    功率:625mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    连续漏极电流:900mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1403BDL-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1403BDL-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1403BDL-T1-GE3

    栅极电荷:4.5nC@4.5V

    连续漏极电流:1.5A

    包装方式:卷带(TR)

    类型:P沟道

    阈值电压:1.3V@250µA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    漏源电压:20V

    导通电阻:150mΩ@1.5A,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDY102PZ 起订15个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDY102PZ 起订15个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDY102PZ

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:135pF@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:830mA

    导通电阻:500mΩ@830mA,4.5V

    类型:P沟道

    栅极电荷:3.1nC@4.5V

    阈值电压:1V@250µA

    功率:625mW

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1403BDL-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1403BDL-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1403BDL-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:4.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61P02FTA 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61P02FTA 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM61P02FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@15V

    连续漏极电流:0.9A

    类型:P-Channel

    导通电阻:600mΩ@610mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:3000
    onsemi Mosfet场效应管 FDY102PZ 起订15个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDY102PZ 起订15个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDY102PZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:3.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:135pF@10V

    连续漏极电流:830mA

    类型:P沟道

    导通电阻:500mΩ@830mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:15
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61P02FTA 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61P02FTA 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM61P02FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@15V

    连续漏极电流:0.9A

    类型:P-Channel

    导通电阻:600mΩ@610mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 FDY102PZ 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDY102PZ 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDY102PZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:135pF@10V

    连续漏极电流:830mA

    类型:P沟道

    导通电阻:500mΩ@830mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61P02FTA 起订30个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61P02FTA 起订30个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM61P02FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@15V

    连续漏极电流:900mA

    类型:P沟道

    导通电阻:600mΩ@610mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61P02FTA 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61P02FTA 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM61P02FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@15V

    连续漏极电流:900mA

    类型:P沟道

    导通电阻:600mΩ@610mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61P02FTA 起订8个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61P02FTA 起订8个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM61P02FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@15V

    连续漏极电流:900mA

    类型:P沟道

    导通电阻:600mΩ@610mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1403BDL-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1403BDL-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1403BDL-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:4.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1403BDL-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1403BDL-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1403BDL-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:4.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1403BDL-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1403BDL-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1403BDL-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:4.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDY102PZ 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDY102PZ 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDY102PZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:135pF@10V

    连续漏极电流:830mA

    类型:P沟道

    导通电阻:500mΩ@830mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61P02FTA 起订200个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61P02FTA 起订200个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM61P02FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@15V

    连续漏极电流:900mA

    类型:P沟道

    导通电阻:600mΩ@610mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61P02FTA 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61P02FTA 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM61P02FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@15V

    连续漏极电流:900mA

    类型:P沟道

    导通电阻:600mΩ@610mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61P02FTA 起订75个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61P02FTA 起订75个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM61P02FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@15V

    连续漏极电流:900mA

    类型:P沟道

    导通电阻:600mΩ@610mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61P02FTA 起订1500个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61P02FTA 起订1500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM61P02FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@15V

    连续漏极电流:900mA

    类型:P沟道

    导通电阻:600mΩ@610mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDY102PZ 起订1500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDY102PZ 起订1500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDY102PZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:3.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:135pF@10V

    连续漏极电流:830mA

    类型:P沟道

    导通电阻:500mΩ@830mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61P02FTA 起订360000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61P02FTA 起订360000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM61P02FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@15V

    连续漏极电流:900mA

    类型:P沟道

    导通电阻:600mΩ@610mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDY102PZ 起订9个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDY102PZ 起订9个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDY102PZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:3.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:135pF@10V

    连续漏极电流:830mA

    类型:P沟道

    导通电阻:500mΩ@830mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61P02FTA 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61P02FTA 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM61P02FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@15V

    连续漏极电流:0.9A

    类型:P-Channel

    导通电阻:600mΩ@610mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:7
    onsemi Mosfet场效应管 FDY102PZ 起订9个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDY102PZ 起订9个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDY102PZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:135pF@10V

    连续漏极电流:830mA

    类型:P沟道

    导通电阻:500mΩ@830mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9
    onsemi Mosfet场效应管 FDY101PZ 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDY101PZ 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDY101PZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:100pF@10V

    连续漏极电流:150mA

    类型:P沟道

    导通电阻:8Ω@150mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1403BDL-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1403BDL-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1403BDL-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:4.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧