品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM3911DCX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.15W
阈值电压:950mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:882.51pF@6V
连续漏极电流:2.2A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:140mΩ@2.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM3911DCX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.15W
阈值电压:950mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:882.51pF@6V
连续漏极电流:2.2A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:140mΩ@2.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM3911DCX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.15W
阈值电压:950mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:882.51pF@6V
连续漏极电流:2.2A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:140mΩ@2.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM3911DCX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.15W
阈值电压:950mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:882.51pF@6V
连续漏极电流:2.2A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:140mΩ@2.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM3911DCX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.15W
阈值电压:950mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:882.51pF@6V
连续漏极电流:2.2A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:140mΩ@2.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM3911DCX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.15W
阈值电压:950mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:882.51pF@6V
连续漏极电流:2.2A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:140mΩ@2.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM3911DCX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.15W
阈值电压:950mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:882.51pF@6V
连续漏极电流:2.2A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:140mΩ@2.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM3911DCX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.15W
阈值电压:950mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:882.51pF@6V
连续漏极电流:2.2A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:140mΩ@2.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM3911DCX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.15W
阈值电压:950mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:882.51pF@6V
连续漏极电流:2.2A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:140mΩ@2.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM3911DCX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.15W
阈值电压:950mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:882.51pF@6V
连续漏极电流:2.2A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:140mΩ@2.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM3911DCX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.15W
阈值电压:950mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:882.51pF@6V
连续漏极电流:2.2A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:140mΩ@2.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM3911DCX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.15W
阈值电压:950mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:882.51pF@6V
连续漏极电流:2.2A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:140mΩ@2.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZB600UNELYL
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
类型:N沟道
栅极电荷:0.7nC@4.5V
漏源电压:20V
导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V
阈值电压:950mV@250µA
连续漏极电流:600mA
输入电容:21.3pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV160UP,215
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:4nC@4.5V
连续漏极电流:1.2A
输入电容:365pF@10V
类型:P沟道
导通电阻:210mΩ@1.2A,4.5V
漏源电压:20V
功率:335mW€2.17W
阈值电压:950mV@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDXB600UNEZ
功率:265mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V
阈值电压:950mV@250µA
连续漏极电流:600mA
输入电容:21.3pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMCXB900UELZ
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N和P沟道互补型
漏源电压:20V
功率:380mW
导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V
阈值电压:950mV@250µA
连续漏极电流:600mA
输入电容:21.3pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZB600UNEYL
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:360mW€2.7W
栅极电荷:0.7nC@4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V
阈值电压:950mV@250µA
连续漏极电流:600mA
输入电容:21.3pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2019UTS-13
连续漏极电流:5.4A
导通电阻:18.5mΩ@7A,10V
包装方式:卷带(TR)
功率:780mW
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:20V
类型:2N沟道(双)共漏
阈值电压:950mV@250µA
输入电容:143pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2301BDS-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:100mΩ@2.8A,4.5V
输入电容:375pF@6V
类型:P沟道
连续漏极电流:2.2A
漏源电压:20V
栅极电荷:10nC@4.5V
ECCN:EAR99
阈值电压:950mV@250µA
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZB150UNEYL
导通电阻:200mΩ@1.5A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:1.6nC@4.5V
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW€6.25W
类型:N沟道
输入电容:93pF@10V
连续漏极电流:1.5A
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
阈值电压:950mV@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZ130UNEYL
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:1.6nC@4.5V
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW€6.25W
类型:N沟道
连续漏极电流:1.8A
输入电容:93pF@10V
导通电阻:150mΩ@1.8A,4.5V
漏源电压:20V
阈值电压:950mV@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZ600UNEZ
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:360mW€2.7W
栅极电荷:0.7nC@4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V
阈值电压:950mV@250µA
连续漏极电流:600mA
输入电容:21.3pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDPB58UPE,115
功率:515mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:67mΩ@2A,4.5V
类型:2个P沟道(双)
连续漏极电流:3.6A
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
输入电容:804pF@10V
阈值电压:950mV@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZ600UNEYL
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:360mW€2.7W
栅极电荷:0.7nC@4.5V
漏源电压:20V
导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V
阈值电压:950mV@250µA
连续漏极电流:600mA
输入电容:21.3pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMH260UNEH
导通电阻:310mΩ@700mA,4,5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
输入电容:41pF@10V
栅极电荷:0.95nC@4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
阈值电压:950mV@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDXB600UNEZ
功率:265mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:20V
类型:2N沟道(双)
导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V
阈值电压:950mV@250µA
连续漏极电流:600mA
输入电容:21.3pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2019UTS-13
连续漏极电流:5.4A
导通电阻:18.5mΩ@7A,10V
包装方式:卷带(TR)
功率:780mW
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:20V
类型:2N沟道(双)共漏
阈值电压:950mV@250µA
输入电容:143pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV160UP,215
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:4nC@4.5V
连续漏极电流:1.2A
输入电容:365pF@10V
类型:P沟道
导通电阻:210mΩ@1.2A,4.5V
漏源电压:20V
功率:335mW€2.17W
阈值电压:950mV@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSH205G2R
导通电阻:170mΩ@2A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
功率:480mW
漏源电压:20V
输入电容:418pF@10V
ECCN:EAR99
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV32UP,215
输入电容:1890pF@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
导通电阻:36mΩ@2.4A,4.5V
栅极电荷:15.5nC@4.5V
工作温度:-55℃~150℃
功率:510mW
类型:P沟道
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
阈值电压:950mV@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存: