品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS4101PT1G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:1.37A
栅极电荷:9nC@4.5V
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@1A,4.5V
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
功率:329mW
输入电容:840pF@20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN028N20
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@5.2A,4.5V
连续漏极电流:6.1A
输入电容:600pF@10V
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS4101PT1G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:1.37A
栅极电荷:9nC@4.5V
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@1A,4.5V
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
功率:329mW
ECCN:EAR99
输入电容:840pF@20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3407DV-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1670pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:24mΩ@7.5A,4.5V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
功率:4.2W
栅极电荷:63nC@10V
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3443CDV-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
输入电容:610pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:12.4nC@5V
导通电阻:60mΩ@4.7A,4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
连续漏极电流:5.97A
功率:2W€3.2W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA40DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:53nC@10V
类型:N沟道
输入电容:3415pF@10V
连续漏极电流:43.7A€162A
功率:3.7W€52W
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
导通电阻:1.1mΩ@10A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN342P
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:80mΩ@2A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2A
栅极电荷:9nC@4.5V
功率:500mW
类型:P沟道
输入电容:635pF@10V
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1469DH-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.7A
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:80mΩ@2A,10V
栅极电荷:8.5nC@4.5V
输入电容:470pF@10V
类型:P沟道
功率:1.5W€2.78W
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC638APZ
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:12nC@4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:1000pF@10V
漏源电压:20V
功率:1.6W
导通电阻:43mΩ@4.5A,4.5V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:4.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC6305N
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.7A
导通电阻:80mΩ@2.7A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:310pF@10V
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
类型:2N沟道(双)
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA1028NZ-F021
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:340pF@10V
导通电阻:68mΩ@3.7A,4.5V
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:3.7A
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC2020USD-13
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:20mΩ@7A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1149pF@10V
功率:1.8W
栅极电荷:11.6nC@4.5V
类型:N+P-Channel
连续漏极电流:8.5A€6.8A
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI9926CDY-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:8A
输入电容:1200pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
类型:2N沟道(双)
导通电阻:18mΩ@8.3A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2040UVT-7
包装方式:卷带(TR)
类型:P沟道
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.5V@250µA
连续漏极电流:5.5A€13A
漏源电压:20V
功率:1.2W
栅极电荷:8.6nC@4.5V
输入电容:834pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2020LSN-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:610mW
类型:N沟道
连续漏极电流:6.9A
输入电容:1149pF@10V
栅极电荷:11.6nC@4.5V
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
导通电阻:20mΩ@9.4A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3900DV-T1-GE3
导通电阻:125mΩ@2.4A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:830mW
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:2A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHS4101PT1G
输入电容:2100pF@16V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:4.8A
功率:1.3W
类型:P沟道
导通电阻:34mΩ@4.8A,4.5V
栅极电荷:35nC@4.5V
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"20+":2651,"21+":5153,"22+":10261}
规格型号(MPN):FDG6335N
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:700mA
输入电容:113pF@10V
导通电阻:300mΩ@700mA,4.5V
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6562CDQ-T1-GE3
类型:N和P沟道
导通电阻:22mΩ@5.7A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
功率:1.6W€1.7W
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
连续漏极电流:6.7A€6.1A
输入电容:850pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA1029PZ
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@10V
类型:2个P沟道(双)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
导通电阻:95mΩ@3.1A,4.5V
连续漏极电流:3.1A
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC637AN
导通电阻:24mΩ@6.2A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:1125pF@10V
连续漏极电流:6.2A
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
功率:1.6W
栅极电荷:16nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7615ADN-T1-GE3
输入电容:5590pF@10V
栅极电荷:183nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:P沟道
连续漏极电流:35A
功率:3.7W€52W
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
导通电阻:4.4mΩ@20A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR800ADP-T1-RE3
导通电阻:1.35mΩ@10A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:53nC@10V
类型:N沟道
连续漏极电流:50.2A€177A
功率:5W€62.5W
输入电容:3415pF@10V
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVJD4401NT1G
功率:270mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
输入电容:46pF@20V
ECCN:EAR99
导通电阻:375mΩ@630mA,4.5V
连续漏极电流:630mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVJD4401NT1G
功率:270mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
输入电容:46pF@20V
ECCN:EAR99
导通电阻:375mΩ@630mA,4.5V
连续漏极电流:630mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN028N20
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@5.2A,4.5V
连续漏极电流:6.1A
输入电容:600pF@10V
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHD4102PT1G
导通电阻:80mΩ@2.9A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
类型:2个P沟道(双)
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
连续漏极电流:2.9A
输入电容:750pF@16V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1902CDL-T1-BE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
输入电容:62pF@10V
功率:300mW€420mW
连续漏极电流:1A€1.1A
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
导通电阻:235mΩ@1A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC638APZ
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:12nC@4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:1000pF@10V
漏源电压:20V
功率:1.6W
导通电阻:43mΩ@4.5A,4.5V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:4.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4477DY-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:4600pF@10V
导通电阻:6.2mΩ@18A,4.5V
类型:P沟道
栅极电荷:190nC@10V
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
功率:3W€6.6W
连续漏极电流:26.6A
包装清单:商品主体 * 1
库存: