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    当前匹配商品:2100+
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    onsemi Mosfet场效应管 NTS4101PT1G 起订750个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4101PT1G 起订750个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTS4101PT1G

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:1.37A

    栅极电荷:9nC@4.5V

    类型:P沟道

    导通电阻:120mΩ@1A,4.5V

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    功率:329mW

    输入电容:840pF@20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN028N20 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN028N20 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN028N20

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@5.2A,4.5V

    连续漏极电流:6.1A

    输入电容:600pF@10V

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4101PT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4101PT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTS4101PT1G

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:1.37A

    栅极电荷:9nC@4.5V

    类型:P沟道

    导通电阻:120mΩ@1A,4.5V

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    功率:329mW

    ECCN:EAR99

    输入电容:840pF@20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3407DV-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3407DV-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3407DV-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1670pF@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:24mΩ@7.5A,4.5V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    功率:4.2W

    栅极电荷:63nC@10V

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3443CDV-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3443CDV-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3443CDV-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:610pF@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:12.4nC@5V

    导通电阻:60mΩ@4.7A,4.5V

    类型:P沟道

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    连续漏极电流:5.97A

    功率:2W€3.2W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA40DN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA40DN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA40DN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:53nC@10V

    类型:N沟道

    输入电容:3415pF@10V

    连续漏极电流:43.7A€162A

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    导通电阻:1.1mΩ@10A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN342P 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN342P 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN342P

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:80mΩ@2A,4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:2A

    栅极电荷:9nC@4.5V

    功率:500mW

    类型:P沟道

    输入电容:635pF@10V

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1469DH-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1469DH-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1469DH-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.7A

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:80mΩ@2A,10V

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    输入电容:470pF@10V

    类型:P沟道

    功率:1.5W€2.78W

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC638APZ 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC638APZ 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC638APZ

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:12nC@4.5V

    类型:P沟道

    阈值电压:1.5V@250µA

    输入电容:1000pF@10V

    漏源电压:20V

    功率:1.6W

    导通电阻:43mΩ@4.5A,4.5V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:4.5A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6305N 起订6000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6305N 起订6000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC6305N

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.7A

    导通电阻:80mΩ@2.7A,4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:310pF@10V

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    类型:2N沟道(双)

    功率:700mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA1028NZ-F021 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA1028NZ-F021 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA1028NZ-F021

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:340pF@10V

    导通电阻:68mΩ@3.7A,4.5V

    类型:2N沟道(双)

    连续漏极电流:3.7A

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    功率:700mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2020USD-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2020USD-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC2020USD-13

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:20mΩ@7A,4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:1149pF@10V

    功率:1.8W

    栅极电荷:11.6nC@4.5V

    类型:N+P-Channel

    连续漏极电流:8.5A€6.8A

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9926CDY-T1-E3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9926CDY-T1-E3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI9926CDY-T1-E3

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:8A

    输入电容:1200pF@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:18mΩ@8.3A,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2040UVT-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2040UVT-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2040UVT-7

    包装方式:卷带(TR)

    类型:P沟道

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:1.5V@250µA

    连续漏极电流:5.5A€13A

    漏源电压:20V

    功率:1.2W

    栅极电荷:8.6nC@4.5V

    输入电容:834pF@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2020LSN-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2020LSN-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2020LSN-7

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:610mW

    类型:N沟道

    连续漏极电流:6.9A

    输入电容:1149pF@10V

    栅极电荷:11.6nC@4.5V

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    导通电阻:20mΩ@9.4A,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3900DV-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3900DV-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3900DV-T1-GE3

    导通电阻:125mΩ@2.4A,4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    类型:2N沟道(双)

    连续漏极电流:2A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHS4101PT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHS4101PT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHS4101PT1G

    输入电容:2100pF@16V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:4.8A

    功率:1.3W

    类型:P沟道

    导通电阻:34mΩ@4.8A,4.5V

    栅极电荷:35nC@4.5V

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6335N 起订1751个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6335N 起订1751个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"20+":2651,"21+":5153,"22+":10261}

    规格型号(MPN):FDG6335N

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:2N沟道(双)

    连续漏极电流:700mA

    输入电容:113pF@10V

    导通电阻:300mΩ@700mA,4.5V

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6562CDQ-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6562CDQ-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI6562CDQ-T1-GE3

    类型:N和P沟道

    导通电阻:22mΩ@5.7A,4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    功率:1.6W€1.7W

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    连续漏极电流:6.7A€6.1A

    输入电容:850pF@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA1029PZ 起订15000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA1029PZ 起订15000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA1029PZ

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@10V

    类型:2个P沟道(双)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    导通电阻:95mΩ@3.1A,4.5V

    连续漏极电流:3.1A

    功率:700mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC637AN 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC637AN 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC637AN

    导通电阻:24mΩ@6.2A,4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    输入电容:1125pF@10V

    连续漏极电流:6.2A

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    功率:1.6W

    栅极电荷:16nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7615ADN-T1-GE3 起订9000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7615ADN-T1-GE3 起订9000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7615ADN-T1-GE3

    输入电容:5590pF@10V

    栅极电荷:183nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:P沟道

    连续漏极电流:35A

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    导通电阻:4.4mΩ@20A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR800ADP-T1-RE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR800ADP-T1-RE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR800ADP-T1-RE3

    导通电阻:1.35mΩ@10A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:53nC@10V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:50.2A€177A

    功率:5W€62.5W

    输入电容:3415pF@10V

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVJD4401NT1G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVJD4401NT1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVJD4401NT1G

    功率:270mW

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:2N沟道(双)

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    输入电容:46pF@20V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:375mΩ@630mA,4.5V

    连续漏极电流:630mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVJD4401NT1G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVJD4401NT1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVJD4401NT1G

    功率:270mW

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:2N沟道(双)

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    输入电容:46pF@20V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:375mΩ@630mA,4.5V

    连续漏极电流:630mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN028N20 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN028N20 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN028N20

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@5.2A,4.5V

    连续漏极电流:6.1A

    输入电容:600pF@10V

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD4102PT1G 起订30个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD4102PT1G 起订30个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHD4102PT1G

    导通电阻:80mΩ@2.9A,4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    类型:2个P沟道(双)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    连续漏极电流:2.9A

    输入电容:750pF@16V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1902CDL-T1-BE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1902CDL-T1-BE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1902CDL-T1-BE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:2N沟道(双)

    输入电容:62pF@10V

    功率:300mW€420mW

    连续漏极电流:1A€1.1A

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:235mΩ@1A,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC638APZ 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC638APZ 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC638APZ

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:12nC@4.5V

    类型:P沟道

    阈值电压:1.5V@250µA

    输入电容:1000pF@10V

    漏源电压:20V

    功率:1.6W

    导通电阻:43mΩ@4.5A,4.5V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:4.5A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4477DY-T1-GE3 起订7500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4477DY-T1-GE3 起订7500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4477DY-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:4600pF@10V

    导通电阻:6.2mΩ@18A,4.5V

    类型:P沟道

    栅极电荷:190nC@10V

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    功率:3W€6.6W

    连续漏极电流:26.6A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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