采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM160P02CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：27nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2320pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM160P02CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：27nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2320pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM160P02CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：27nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2320pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM160P02CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：27nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2320pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM160P02CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：27nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2320pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM160P02CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：27nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2320pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM160P02CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：27nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2320pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM160P02CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：27nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2320pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM160P02CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：27nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2320pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM160P02CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：27nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2320pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM160P02CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：27nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2320pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7106DN-T1-E3
连续漏极电流：12.5A
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.5V@250µA
漏源电压：20V
栅极电荷：27nC@4.5V
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@19.5A，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7106DN-T1-E3
连续漏极电流：12.5A
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
栅极电荷：27nC@4.5V
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@19.5A，4.5V
阈值电压：1.5V@250µA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM160P02CS RLG
导通电阻：16mΩ@6A，4.5V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：11A
栅极电荷：27nC@4.5V
输入电容：2320pF@15V
类型：P沟道
阈值电压：1V@250µA
功率：2.5W
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM160P02CS RLG
导通电阻：16mΩ@6A，4.5V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：11A
栅极电荷：27nC@4.5V
输入电容：2320pF@15V
类型：P沟道
阈值电压：1V@250µA
功率：2.5W
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7106DN-T1-E3
连续漏极电流：12.5A
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.5V@250µA
漏源电压：20V
栅极电荷：27nC@4.5V
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@19.5A，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7106DN-T1-E3
连续漏极电流：12.5A
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
栅极电荷：27nC@4.5V
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@19.5A，4.5V
阈值电压：1.5V@250µA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH106DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：27nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@19.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2023UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：730mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：27nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1837pF@15V
连续漏极电流：7.6A
类型：P沟道
导通电阻：27mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2023UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：730mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1837pF@15V
连续漏极电流：7.6A
类型：P沟道
导通电阻：27mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7106DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：27nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@19.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7106DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：27nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12.5A
类型：N-Channel
导通电阻：6.2mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7106DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@19.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7106DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@19.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7106DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：27nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12.5A
类型：N-Channel
导通电阻：6.2mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7106DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@19.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7106DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：27nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@19.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7106DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@19.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7106DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@19.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7106DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：27nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@19.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
