采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3443CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@10V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3443CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@10V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3443CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@10V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3443CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@10V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3443CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@10V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3443CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@10V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3443CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@10V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3443CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@10V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3443CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@10V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS4101PT1G
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：1.37A
栅极电荷：9nC@4.5V
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@1A，4.5V
阈值电压：1.5V@250µA
漏源电压：20V
功率：329mW
输入电容：840pF@20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS4101PT1G
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：1.37A
栅极电荷：9nC@4.5V
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@1A，4.5V
阈值电压：1.5V@250µA
漏源电压：20V
功率：329mW
ECCN：EAR99
输入电容：840pF@20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV65XPER
阈值电压：1.25V@250µA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：2.8A
功率：480mW€6.25W
栅极电荷：9nC@4.5V
类型：P沟道
输入电容：618pF@10V
漏源电压：20V
导通电阻：78mΩ@2.8A，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN342P
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：80mΩ@2A，4.5V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：2A
栅极电荷：9nC@4.5V
功率：500mW
类型：P沟道
输入电容：635pF@10V
阈值电压：1.5V@250µA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3443CX6 RFG
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：60mΩ@4.7A，4.5V
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：9nC@4.5V
类型：P沟道
输入电容：640pF@10V
连续漏极电流：4.7A
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
功率：2W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3413L-7
输入电容：857pF@10V
包装方式：卷带（TR）
阈值电压：1.3V@250µA
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：3A
栅极电荷：9nC@4.5V
类型：P沟道
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
功率：700mW
导通电阻：95mΩ@3A，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3443BDV-T1-BE3
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
类型：P沟道
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
连续漏极电流：3.6A
漏源电压：20V
导通电阻：60mΩ@4.7A，4.5V
阈值电压：1.4V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3443BDV-T1-E3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：60mΩ@4.7A，4.5V
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：9nC@4.5V
类型：P沟道
功率：1.1W
连续漏极电流：3.6A
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV65XPER
阈值电压：1.25V@250µA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：2.8A
功率：480mW€6.25W
栅极电荷：9nC@4.5V
类型：P沟道
输入电容：618pF@10V
漏源电压：20V
导通电阻：78mΩ@2.8A，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS4101PT1G
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：1.37A
栅极电荷：9nC@4.5V
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@1A，4.5V
阈值电压：1.5V@250µA
漏源电压：20V
功率：329mW
输入电容：840pF@20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3413L-7
输入电容：857pF@10V
包装方式：卷带（TR）
阈值电压：1.3V@250µA
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：3A
栅极电荷：9nC@4.5V
类型：P沟道
漏源电压：20V
功率：700mW
导通电阻：95mΩ@3A，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3443CX6 RFG
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：60mΩ@4.7A，4.5V
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：9nC@4.5V
类型：P沟道
输入电容：640pF@10V
连续漏极电流：4.7A
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
功率：2W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS4101PT1G
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：1.37A
栅极电荷：9nC@4.5V
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@1A，4.5V
阈值电压：1.5V@250µA
漏源电压：20V
功率：329mW
输入电容：840pF@20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3413L-7
输入电容：857pF@10V
包装方式：卷带（TR）
阈值电压：1.3V@250µA
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：3A
栅极电荷：9nC@4.5V
类型：P沟道
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
功率：700mW
导通电阻：95mΩ@3A，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN342P
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：80mΩ@2A，4.5V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：2A
栅极电荷：9nC@4.5V
功率：500mW
类型：P沟道
输入电容：635pF@10V
阈值电压：1.5V@250µA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS4101PT1G
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：1.37A
栅极电荷：9nC@4.5V
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@1A，4.5V
阈值电压：1.5V@250µA
漏源电压：20V
功率：329mW
输入电容：840pF@20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN342P
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：80mΩ@2A，4.5V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：2A
栅极电荷：9nC@4.5V
功率：500mW
类型：P沟道
输入电容：635pF@10V
阈值电压：1.5V@250µA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS4101PT1G
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：1.37A
栅极电荷：9nC@4.5V
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@1A，4.5V
阈值电压：1.5V@250µA
漏源电压：20V
功率：329mW
输入电容：840pF@20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3443BDV-T1-E3
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
类型：P沟道
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
连续漏极电流：3.6A
漏源电压：20V
导通电阻：60mΩ@4.7A，4.5V
阈值电压：1.4V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3443BDV-T1-E3
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
类型：P沟道
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
连续漏极电流：3.6A
漏源电压：20V
导通电阻：60mΩ@4.7A，4.5V
阈值电压：1.4V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3443BDV-T1-BE3
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
类型：P沟道
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
连续漏极电流：3.6A
漏源电压：20V
导通电阻：60mΩ@4.7A，4.5V
阈值电压：1.4V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
