销售单位:个
规格型号(MPN):2301
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:12nC@2.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:56mΩ@1.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3413A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:745pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:66mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3413A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:745pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:66mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):2301
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:12nC@2.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:56mΩ@1.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2301
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:12nC@2.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:56mΩ@1.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3413A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:745pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:66mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3413A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:745pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:66mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3413A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:745pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:66mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3413A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:745pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:66mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2301
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:12nC@2.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:56mΩ@1.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3413A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:11nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:745pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:66mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):2301
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:12nC@2.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:56mΩ@1.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3413A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:745pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:66mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3413A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:745pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:66mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2301
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:12nC@2.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:56mΩ@1.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2301
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:12nC@2.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:56mΩ@1.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2301
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:12nC@2.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:56mΩ@1.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):2301
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:12nC@2.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:56mΩ@1.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3413A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:745pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:66mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3413A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:745pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:66mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3413A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:745pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:66mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2301
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:12nC@2.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:56mΩ@1.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3413A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:11nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:745pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:66mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2301
栅极电荷:12nC@2.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:900mV@250µA
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:56mΩ@1.7A,4.5V
漏源电压:20V
功率:1W
输入电容:405pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3413L-7
输入电容:857pF@10V
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:1.3V@250µA
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:3A
栅极电荷:9nC@4.5V
类型:P沟道
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
功率:700mW
导通电阻:95mΩ@3A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2302A-TP
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:72mΩ@3.6A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:20V
功率:1.25W
连续漏极电流:3A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"12+":9000}
规格型号(MPN):PMG45UN,115
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:375mW€4.35W
输入电容:184pF@10V
类型:N沟道
连续漏极电流:3A
导通电阻:55mΩ@3A,4.5V
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:3.3nC@4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2302-TP
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:72mΩ@3.6A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:237pF@10V
连续漏极电流:3A
阈值电压:1.2V@50µA
漏源电压:20V
栅极电荷:10nC@4.5V
功率:1.25W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC6401N
包装方式:卷带(TR)
输入电容:324pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:3A
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
导通电阻:70mΩ@3A,4.5V
ECCN:EAR99
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC6401N
包装方式:卷带(TR)
输入电容:324pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
导通电阻:70mΩ@3A,4.5V
类型:2N沟道(双)
功率:700mW
连续漏极电流:3A
包装清单:商品主体 * 1
库存: