采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN302P
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：55mΩ@2.4A，4.5V
输入电容：882pF@10V
栅极电荷：14nC@4.5V
功率：500mW
类型：P沟道
阈值电压：1.5V@250µA
漏源电压：20V
连续漏极电流：2.4A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN304P
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：20nC@4.5V
导通电阻：52mΩ@2.4A，4.5V
功率：500mW
类型：P沟道
阈值电压：1.5V@250µA
输入电容：1312pF@10V
漏源电压：20V
连续漏极电流：2.4A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN302P
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：55mΩ@2.4A，4.5V
输入电容：882pF@10V
栅极电荷：14nC@4.5V
功率：500mW
类型：P沟道
阈值电压：1.5V@250µA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：2.4A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN304P
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：20nC@4.5V
导通电阻：52mΩ@2.4A，4.5V
功率：500mW
类型：P沟道
阈值电压：1.5V@250µA
输入电容：1312pF@10V
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：2.4A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN304PZ
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1310pF@10V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：20nC@4.5V
导通电阻：52mΩ@2.4A，4.5V
功率：500mW
类型：P沟道
阈值电压：1.5V@250µA
漏源电压：20V
连续漏极电流：2.4A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN304P
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：20nC@4.5V
导通电阻：52mΩ@2.4A，4.5V
功率：500mW
类型：P沟道
阈值电压：1.5V@250µA
输入电容：1312pF@10V
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：2.4A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN304PZ
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1310pF@10V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：20nC@4.5V
导通电阻：52mΩ@2.4A，4.5V
功率：500mW
类型：P沟道
阈值电压：1.5V@250µA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：2.4A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN304P
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：20nC@4.5V
导通电阻：52mΩ@2.4A，4.5V
功率：500mW
类型：P沟道
阈值电压：1.5V@250µA
输入电容：1312pF@10V
漏源电压：20V
连续漏极电流：2.4A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN304P
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：20nC@4.5V
导通电阻：52mΩ@2.4A，4.5V
功率：500mW
类型：P沟道
阈值电压：1.5V@250µA
输入电容：1312pF@10V
漏源电压：20V
连续漏极电流：2.4A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"06+"：5765，"08+"：3110，"11+"：4000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTD4401FR2G
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：18nC@4.5V
类型：P沟道
功率：780mW
阈值电压：1.5V@250µA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
输入电容：750pF@16V
导通电阻：90mΩ@3.3A，4.5V
连续漏极电流：2.4A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2301LK-7
功率：840mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：3.4nC@10V
导通电阻：160mΩ@1A，4.5V
类型：P沟道
输入电容：156pF@6V
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
连续漏极电流：2.4A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN304PZ
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1310pF@10V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：20nC@4.5V
导通电阻：52mΩ@2.4A，4.5V
功率：500mW
类型：P沟道
阈值电压：1.5V@250µA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：2.4A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN304PZ
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1310pF@10V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：20nC@4.5V
导通电阻：52mΩ@2.4A，4.5V
功率：500mW
类型：P沟道
阈值电压：1.5V@250µA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：2.4A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV100XPEAR
阈值电压：1.25V@250µA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：128mΩ@2.4A，4.5V
类型：P沟道
漏源电压：20V
功率：463mW€1.9W
输入电容：386pF@10V
栅极电荷：6nC@4.5V
连续漏极电流：2.4A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"06+"：5765，"08+"：3110，"11+"：4000}
规格型号(MPN)：NTTD4401FR2G
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：18nC@4.5V
类型：P沟道
功率：780mW
阈值电压：1.5V@250µA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
输入电容：750pF@16V
导通电阻：90mΩ@3.3A，4.5V
连续漏极电流：2.4A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN304PZ
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1310pF@10V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：20nC@4.5V
导通电阻：52mΩ@2.4A，4.5V
功率：500mW
类型：P沟道
阈值电压：1.5V@250µA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：2.4A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2301LK-7
功率：840mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：3.4nC@10V
导通电阻：160mΩ@1A，4.5V
类型：P沟道
输入电容：156pF@6V
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：2.4A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN304PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1310pF@10V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN304PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1310pF@10V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN302P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：882pF@10V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN302P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：882pF@10V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2301LK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：3.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：156pF@6V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：160mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN304P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1312pF@10V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN304P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1312pF@10V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN304P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1312pF@10V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV100XPEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：463mW€1.9W
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：386pF@10V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：128mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2301LK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：156pF@6V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：160mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：66000，"MI+"：15000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN302P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：882pF@10V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN302P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：882pF@10V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2301LK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：156pF@6V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：160mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
