品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3415_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:756pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:57mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2056U-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:940mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:4.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:339pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3415_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:756pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:57mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3419_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:6.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:602pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@4A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3415_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:756pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:57mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3415_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:756pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:57mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3419_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:6.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:602pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@4A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3415_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:756pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:57mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3415_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:756pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:57mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3415_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:756pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:57mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3419_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:6.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:602pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@4A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3419_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:6.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:602pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@4A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3419_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:6.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:602pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@4A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3419_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:6.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:602pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@4A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3415A-TP
功率:1.4W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:900mV@250µA
输入电容:950pF@10V
导通电阻:45mΩ@4A,4.5V
栅极电荷:12nC@4.5V
类型:P沟道
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDPB30XN,115
输入电容:660pF@10V
功率:490mW
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:900mV@250µA
漏源电压:20V
类型:2N沟道(双)
导通电阻:40mΩ@3A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIL3415-TP
功率:1.4W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
输入电容:1450pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:17.2nC@4.5V
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@4A,4.5V
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3415UQ-7
栅极电荷:9.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:42.5mΩ@4A,4.5V
功率:900mW
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
输入电容:294pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV32UP,215
输入电容:1890pF@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
导通电阻:36mΩ@2.4A,4.5V
栅极电荷:15.5nC@4.5V
工作温度:-55℃~150℃
功率:510mW
类型:P沟道
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
阈值电压:950mV@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIL2300-TP
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
输入电容:620pF@10V
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:25mΩ@4A,4.5V
功率:1.25W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"15+":9000}
规格型号(MPN):SI3443DV
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
工作温度:-55℃~150℃
类型:P沟道
输入电容:640pF@10V
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
导通电阻:65mΩ@4A,4.5V
栅极电荷:10nC@4.5V
功率:1.6W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2056U-7
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:38mΩ@3.6A,4.5V
栅极电荷:4.3nC@4.5V
类型:N沟道
功率:940mW
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
输入电容:339pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5515CDC-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
导通电阻:36mΩ@6A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
输入电容:632pF@10V
类型:N和P沟道
阈值电压:800mV@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5515CDC-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
导通电阻:36mΩ@6A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
输入电容:632pF@10V
类型:N和P沟道
阈值电压:800mV@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2056U-13
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:38mΩ@3.6A,4.5V
栅极电荷:4.3nC@4.5V
类型:N沟道
功率:940mW
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
输入电容:339pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":3000,"23+":6000}
规格型号(MPN):FDC642P
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:925pF@10V
类型:P沟道
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
导通电阻:65mΩ@4A,4.5V
功率:1.6W
栅极电荷:16nC@4.5V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV32UP,215
输入电容:1890pF@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
导通电阻:36mΩ@2.4A,4.5V
栅极电荷:15.5nC@4.5V
工作温度:-55℃~150℃
功率:510mW
类型:P沟道
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
阈值电压:950mV@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5935CDC-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
类型:2个P沟道(双)
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1V@250µA
导通电阻:100mΩ@3.1A,4.5V
漏源电压:20V
输入电容:455pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3415UQ-7
栅极电荷:9.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:42.5mΩ@4A,4.5V
功率:900mW
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
输入电容:294pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5515CDC-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
导通电阻:36mΩ@6A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
输入电容:632pF@10V
类型:N和P沟道
阈值电压:800mV@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: