采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2301ACX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：4.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：480pF@15V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2301ACX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：4.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：480pF@15V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2301ACX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：4.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：480pF@15V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2301ACX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：4.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：480pF@15V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2301ACX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：480pF@15V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MGSF2N02ELT1G
导通电阻：85mΩ@3.6A，4.5V
输入电容：150pF@5V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：3.5nC@4V
类型：N沟道
连续漏极电流：2.8A
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
功率：1.25W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2302UK-13
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：90mΩ@3.6A，4.5V
栅极电荷：2.8nC@10V
类型：N-Channel
功率：660mW
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：2.8A
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV65XPER
阈值电压：1.25V@250µA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：2.8A
功率：480mW€6.25W
栅极电荷：9nC@4.5V
类型：P沟道
输入电容：618pF@10V
漏源电压：20V
导通电阻：78mΩ@2.8A，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2301-TP
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：120mΩ@2.8A，4.5V
输入电容：880pF@6V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：14.5nC@4.5V
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
功率：1.25W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2302UKQ-13
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：90mΩ@3.6A，4.5V
栅极电荷：2.8nC@10V
类型：N沟道
功率：660mW
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：2.8A
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2302UKQ-7
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：90mΩ@3.6A，4.5V
栅极电荷：2.8nC@10V
类型：N沟道
功率：660mW
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：2.8A
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2302UK-13
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：90mΩ@3.6A，4.5V
栅极电荷：2.8nC@10V
类型：N-Channel
功率：660mW
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：2.8A
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV65XPER
阈值电压：1.25V@250µA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：2.8A
功率：480mW€6.25W
栅极电荷：9nC@4.5V
类型：P沟道
输入电容：618pF@10V
漏源电压：20V
导通电阻：78mΩ@2.8A，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUD3A50PZTAG
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@15V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：2.8A
功率：500mW
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：50mΩ@4A，4.5V
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2302UK-13
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：90mΩ@3.6A，4.5V
栅极电荷：2.8nC@10V
类型：N沟道
功率：660mW
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：2.8A
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2301ACX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：4.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：480pF@15V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2302UK-13
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：90mΩ@3.6A，4.5V
栅极电荷：2.8nC@10V
类型：N-Channel
功率：660mW
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：2.8A
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2302UKQ-13
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：90mΩ@3.6A，4.5V
栅极电荷：2.8nC@10V
类型：N沟道
功率：660mW
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：2.8A
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUD3A50PZTAG
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@15V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：2.8A
功率：500mW
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：50mΩ@4A，4.5V
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2301A-TP
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：900mV@250µA
导通电阻：120mΩ@2.8A，4.5V
输入电容：880pF@6V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
栅极电荷：14.5nC@4.5V
漏源电压：20V
功率：1.25W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MGSF2N02ELT1G
导通电阻：85mΩ@3.6A，4.5V
输入电容：150pF@5V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：3.5nC@4V
类型：N沟道
连续漏极电流：2.8A
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
功率：1.25W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2065UW-7
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N-Channel
连续漏极电流：2.8A
导通电阻：56mΩ@2A，4.5V
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
输入电容：400pF@10V
功率：430mW
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2302UKQ-13
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：90mΩ@3.6A，4.5V
栅极电荷：2.8nC@10V
类型：N沟道
功率：660mW
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：2.8A
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2302UK-7
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：90mΩ@3.6A，4.5V
栅极电荷：2.8nC@10V
类型：N沟道
功率：660mW
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：2.8A
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MGSF2N02ELT1G
导通电阻：85mΩ@3.6A，4.5V
输入电容：150pF@5V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：3.5nC@4V
类型：N沟道
连续漏极电流：2.8A
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
功率：1.25W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2302UKQ-7
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：90mΩ@3.6A，4.5V
栅极电荷：2.8nC@10V
类型：N沟道
功率：660mW
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：2.8A
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV65XP，215
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：7.7nC@4.5V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
功率：480mW
漏源电压：20V
输入电容：744pF@20V
导通电阻：74mΩ@2.8A，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MVSF2N02ELT1G
导通电阻：85mΩ@3.6A，4.5V
输入电容：150pF@5V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：3.5nC@4V
类型：N沟道
连续漏极电流：2.8A
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
功率：1.25W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2065UW-7
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：2.8A
导通电阻：56mΩ@2A，4.5V
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
输入电容：400pF@10V
功率：430mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MVSF2N02ELT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：3.5nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@5V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
