品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3485C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.3W
阈值电压:550mV@250μA
栅极电荷:8.5nC@4.5V
输入电容:930pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个P沟道
反向传输电容:80pF@10V
导通电阻:33mΩ@4.5V,4.5A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:4.15W€490mW
阈值电压:950mV@250μA
栅极电荷:22.1nC@4.5V
输入电容:1.82nF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:32mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3485C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.3W
阈值电压:550mV@250μA
栅极电荷:8.5nC@4.5V
输入电容:930pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个P沟道
反向传输电容:80pF@10V
导通电阻:33mΩ@4.5V,4.5A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:490mW€4.15W
阈值电压:950mV@250μA
栅极电荷:22.1nC@4.5V
输入电容:1.82nF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:32mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC640P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:890pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:53mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3485C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.3W
阈值电压:550mV@250μA
栅极电荷:8.5nC@4.5V
输入电容:930pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个P沟道
反向传输电容:80pF@10V
导通电阻:33mΩ@4.5V,4.5A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC640P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:890pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:53mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC640P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:890pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:53mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3485C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.3W
阈值电压:550mV@250μA
栅极电荷:8.5nC@4.5V
输入电容:930pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个P沟道
反向传输电容:80pF@10V
导通电阻:33mΩ@4.5V,4.5A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC640P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:890pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:53mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:4.15W€490mW
阈值电压:950mV@250μA
栅极电荷:22.1nC@4.5V
输入电容:1.82nF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:32mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC640P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:890pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:53mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC640P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:890pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:53mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC640P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:890pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:53mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC640P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:890pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:53mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC640P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:890pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:53mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC640P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:890pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:53mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC640P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:890pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:53mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC640P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:890pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:53mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3485C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.3W
阈值电压:550mV@250μA
栅极电荷:8.5nC@4.5V
输入电容:930pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个P沟道
反向传输电容:80pF@10V
导通电阻:33mΩ@4.5V,4.5A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":4128}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC640P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:890pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:53mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:宏迦橙
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HL2300
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:1.4nC@4.5V
输入电容:418pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个N沟道
反向传输电容:70pF@10V
导通电阻:25mΩ@4.5V,4.5A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC640P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:890pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:53mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:18+
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC640P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:890pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:53mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:18+
规格型号(MPN):FDC640P
阈值电压:1.5V@250μA
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:13nC@4.5V
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:890pF@10V
漏源电压:20V
功率:1.6W
类型:1个P沟道
导通电阻:53mΩ@4.5A,4.5V
连续漏极电流:4.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:4.15W€490mW
阈值电压:950mV@250μA
栅极电荷:22.1nC@4.5V
输入电容:1.82nF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:32mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC640P
阈值电压:1.5V@250μA
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:13nC@4.5V
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:890pF@10V
漏源电压:20V
功率:1.6W
类型:1个P沟道
导通电阻:53mΩ@4.5A,4.5V
连续漏极电流:4.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC640P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:890pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:53mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:宏迦橙
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HL2300
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:1.4nC@4.5V
输入电容:418pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个N沟道
反向传输电容:70pF@10V
导通电阻:25mΩ@4.5V,4.5A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:宏迦橙
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HL2300
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:1.4nC@4.5V
输入电容:418pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个N沟道
反向传输电容:70pF@10V
导通电阻:25mΩ@4.5V,4.5A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: