品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AS2101W
功率:290mW
阈值电压:700mV@250μA
连续漏极电流:1.4A
类型:1个P沟道
导通电阻:100mΩ@4.5V,1A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WPM1480-3/TR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:290mW
阈值电压:600mV@250μA
栅极电荷:6.5nC@4.5V
输入电容:480pF@10V
连续漏极电流:1.4A
类型:1个P沟道
反向传输电容:51pF@10V
导通电阻:110mΩ@4.5V,1A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WPM1480-3/TR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:290mW
阈值电压:600mV@250μA
栅极电荷:6.5nC@4.5V
输入电容:480pF@10V
连续漏极电流:1.4A
类型:1个P沟道
反向传输电容:51pF@10V
导通电阻:110mΩ@4.5V,1A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LP0404N3T5G
阈值电压:1.2V@250μA
连续漏极电流:1.4A
类型:1个P沟道
导通电阻:480mΩ@4.5V,780mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AS2101W
功率:290mW
阈值电压:700mV@250μA
连续漏极电流:1.4A
类型:1个P沟道
导通电阻:100mΩ@4.5V,1A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AS2101W
功率:290mW
阈值电压:700mV@250μA
连续漏极电流:1.4A
类型:1个P沟道
导通电阻:100mΩ@4.5V,1A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WPM1480-3/TR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:290mW
阈值电压:600mV@250μA
栅极电荷:6.5nC@4.5V
输入电容:480pF@10V
连续漏极电流:1.4A
类型:1个P沟道
反向传输电容:51pF@10V
导通电阻:110mΩ@4.5V,1A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WPM1480-3/TR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:290mW
阈值电压:600mV@250μA
栅极电荷:6.5nC@4.5V
输入电容:480pF@10V
连续漏极电流:1.4A
类型:1个P沟道
反向传输电容:51pF@10V
导通电阻:110mΩ@4.5V,1A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WPM1480-3/TR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:290mW
阈值电压:600mV@250μA
栅极电荷:6.5nC@4.5V
输入电容:480pF@10V
连续漏极电流:1.4A
类型:1个P沟道
反向传输电容:51pF@10V
导通电阻:110mΩ@4.5V,1A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WPM1480-3/TR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:290mW
阈值电压:600mV@250μA
栅极电荷:6.5nC@4.5V
输入电容:480pF@10V
连续漏极电流:1.4A
类型:1个P沟道
反向传输电容:51pF@10V
导通电阻:110mΩ@4.5V,1A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LP0404N3T5G
导通电阻:480mΩ@4.5V,780mA
漏源电压:20V
阈值电压:1.2V@250μA
类型:1个P沟道
连续漏极电流:1.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LP0404N3T5G
阈值电压:1.2V@250μA
连续漏极电流:1.4A
类型:1个P沟道
导通电阻:480mΩ@4.5V,780mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AS2101W
导通电阻:100mΩ@4.5V,1A
功率:290mW
漏源电压:20V
类型:1个P沟道
连续漏极电流:1.4A
阈值电压:700mV@250μA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LP0404N3T5G
导通电阻:480mΩ@4.5V,780mA
漏源电压:20V
阈值电压:1.2V@250μA
类型:1个P沟道
连续漏极电流:1.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LP0404N3T5G
阈值电压:1.2V@250μA
连续漏极电流:1.4A
类型:1个P沟道
导通电阻:480mΩ@4.5V,780mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: