采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS205NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@11µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：419pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2165UW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：3.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：335pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25481F4
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：0.913nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：189pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：88mΩ@500mA，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2165UW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：3.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：335pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25484F4T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：1.42nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：94mΩ@500mA，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25481F4
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：0.913nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：189pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：88mΩ@500mA，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25484F4T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：1.42nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：94mΩ@500mA，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25481F4T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：0.91nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：189pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：88mΩ@500mA，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2165UW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：3.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：335pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25484F4
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：1.42nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：94mΩ@500mA，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25481F4
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：0.913nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：189pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：88mΩ@500mA，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS205NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@11µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：419pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J50TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@200µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：64mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2165UW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：3.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：335pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25484F4T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：1.42nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：94mΩ@500mA，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J50TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@200µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：64mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS205NH6327
功率：500mW
阈值电压：1.2V@11μA
连续漏极电流：2.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：50mΩ@4.5V，2.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS205NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@11µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：419pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25481F4T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.91nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：189pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：88mΩ@500mA，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGS3446T1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@5.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J50TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@200µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：64mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGS3446T1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@5.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2165UW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：3.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：335pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25484F4
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：1.42nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：94mΩ@500mA，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25484F4T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：1.42nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：94mΩ@500mA，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25484F4
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：1.42nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：94mΩ@500mA，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J50TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@200µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：64mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25481F4T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.91nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：189pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：88mΩ@500mA，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGS3446T1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@5.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2165UW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：3.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：335pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
