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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2110UQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@4.5V
输入电容：443pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：80mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC634P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：779pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：80mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDC634P
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功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：779pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：80mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：DMP2110U-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：443pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：80mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：FDC634P
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功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：779pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：80mΩ@3.5A，4.5V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：DMP2110UQ-7
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功率：800mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@4.5V
输入电容：443pF@10V
连续漏极电流：3.5A
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导通电阻：80mΩ@2.8A，4.5V
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规格型号(MPN)：DMP2110U-13
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功率：800mW
阈值电压：1V@250μA
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栅极电荷：6nC@4.5V
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输入电容：443pF@10V
连续漏极电流：3.5A
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导通电阻：80mΩ@2.8A，4.5V
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规格型号(MPN)：FDC634P
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功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250μA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：779pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：80mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：DMP2110U-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：443pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：80mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP2110U-13
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功率：800mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：6nC@4.5V
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输入电容：443pF@10V
连续漏极电流：3.5A
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：FDC634P
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类型：1个P沟道
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：FDC634P
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功率：1.6W
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输入电容：779pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：80mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：DMP2110U-13
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功率：800mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@4.5V
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输入电容：443pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：80mΩ@2.8A，4.5V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：DMP2110U-13
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功率：800mW
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ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@4.5V
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输入电容：443pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：80mΩ@2.8A，4.5V
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功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250μA
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输入电容：779pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：80mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP2110U-13
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连续漏极电流：3.5A
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导通电阻：80mΩ@2.8A，4.5V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2110UQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
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栅极电荷：6nC@4.5V
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连续漏极电流：3.5A
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导通电阻：80mΩ@2.8A，4.5V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：3830，"22+"：6159}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC634P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：779pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：80mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：3830，"22+"：6159}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC634P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：779pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：80mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2110U-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：443pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：80mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP2110U-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：443pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：80mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC634P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：10nC@4.5V
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输入电容：779pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：80mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2110U-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：443pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：80mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2110U-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
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ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@4.5V
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输入电容：443pF@10V
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类型：1个P沟道
导通电阻：80mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2110UQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@4.5V
输入电容：443pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：80mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC634P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：779pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：80mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2110UQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@4.5V
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连续漏极电流：3.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：80mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2110U-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：443pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：80mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2110U-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：443pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：80mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2110UQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@4.5V
输入电容：443pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：80mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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