采购热线 400-661-9010
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J352F，LF
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.2V@1mA
栅极电荷：5.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@2A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN340P
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3430_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：92pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J352F，LF
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.2V@1mA
栅极电荷：5.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@2A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3423A
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@4.5V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3423
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：92mΩ@2A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J352F，LF
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.2V@1mA
栅极电荷：5.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@2A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J352F，LF
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.2V@1mA
栅极电荷：5.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@2A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3423A
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@4.5V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN340P
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN340P
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN340P
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3423A
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@4.5V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN340P
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN340P
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS5U28TR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1427EDH-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W€2.8W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：21nC@8V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：64mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3900DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：125mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2110UW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：443pF@6V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX2301P，215
工作温度：150℃
功率：400mW€2.8W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@6V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTR020P02HZGTL
工作温度：150℃
功率：700mW
栅极电荷：4.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2A
类型：P-Channel
导通电阻：135mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：25000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCH1430-TL-W
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：128pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5C020TPTL
工作温度：150℃
功率：700mW
栅极电荷：4.9nC@2.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2A
类型：P-Channel
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN327N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：6.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：423pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：70mΩ@4.5V，2A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUR020N02TL
工作温度：150℃
功率：540mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N-Channel
导通电阻：105mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5C020TPTL
工作温度：150℃
功率：700mW
栅极电荷：4.9nC@2.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2A
类型：P-Channel
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2110UW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：443pF@6V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUR020N02TL
工作温度：150℃
功率：540mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N-Channel
导通电阻：105mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3900DV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：125mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3430_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：92pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
