采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM62P02E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：5.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@15V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM62P02E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：5.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@15V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM62P02E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：5.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@15V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM62P02E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：5.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@15V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM62P02E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：5.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@15V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM62P02E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：5.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@15V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM62P02E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：5.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@15V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM62P02E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：5.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@15V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM62P02E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：5.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@15V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM62P02E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：5.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@15V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM62P02E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：5.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@15V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM62P02E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：5.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@15V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM62P02E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：5.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@15V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM62P02E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：5.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@15V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM62P02E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：5.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@15V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM62P02E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：5.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@15V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM62P02E6TA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：200mΩ@1.6A，4.5V
阈值电压：700mV@250µA
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
功率：1.1W
输入电容：320pF@15V
漏源电压：20V
栅极电荷：5.8nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM62P02E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：5.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@15V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM62P02E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：5.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@15V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM62P02E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：5.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@15V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM62P02E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：5.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@15V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM62P02E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：5.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@15V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM62P02E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：5.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@15V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：5.8nC@4.5V
输入电容：320pF@15V
连续漏极电流：2.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：200mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM62P02E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：5.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@15V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：5.8nC@4.5V
输入电容：320pF@15V
连续漏极电流：2.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：200mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM62P02E6TA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：200mΩ@1.6A，4.5V
阈值电压：700mV@250µA
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
功率：1.1W
输入电容：320pF@15V
漏源电压：20V
栅极电荷：5.8nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
