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    漏源电压: 20V
    连续漏极电流: 2.3A
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    当前匹配商品:200+
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI8812DB-T2-E1 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8812DB-T2-E1 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8812DB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:59mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM62P02E6TA 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM62P02E6TA 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM62P02E6TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:700mV@250µA

    栅极电荷:5.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:320pF@15V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:200mΩ@1.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6312P 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6312P 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC6312P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:467pF@10V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:115mΩ@2.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS806NEH6327XTSA1 起订7个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS806NEH6327XTSA1 起订7个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS806NEH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:750mV@11µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.7nC@2.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:529pF@10V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:57mΩ@2.3A,2.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS806NEH6327XTSA1 起订3000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS806NEH6327XTSA1 起订3000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS806NEH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:750mV@11µA

    栅极电荷:1.7nC@2.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:529pF@10V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:57mΩ@2.3A,2.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS806NEH6327XTSA1 起订7个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS806NEH6327XTSA1 起订7个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS806NEH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:750mV@11µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.7nC@2.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:529pF@10V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:57mΩ@2.3A,2.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STR2N2VH5 起订3000个装
    ST Mosfet场效应管 STR2N2VH5 起订3000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STR2N2VH5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:700mV@250µA

    栅极电荷:4.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:367pF@16V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJD3115PT1G 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJD3115PT1G 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJD3115PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:710mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:531pF@10V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:100mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS806NEH6327XTSA1 起订6083个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS806NEH6327XTSA1 起订6083个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":33000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS806NEH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:750mV@11µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.7nC@2.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:529pF@10V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:57mΩ@2.3A,2.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6312P 起订13个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6312P 起订13个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC6312P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:467pF@10V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:115mΩ@2.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7104TRPBF 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7104TRPBF 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7104TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:290pF@15V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:250mΩ@1A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 SIL2301-TP 起订1000个装
    MCC Mosfet场效应管 SIL2301-TP 起订1000个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIL2301-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:405pF@10V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:90mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6312P 起订11个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6312P 起订11个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC6312P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:467pF@10V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:115mΩ@2.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJF3117PT1G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJF3117PT1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJF3117PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:710mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:531pF@10V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJF3117PT1G 起订9个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJF3117PT1G 起订9个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJF3117PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:710mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:6.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:531pF@10V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7104TRPBF 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7104TRPBF 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7104TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:290pF@15V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:250mΩ@1A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 SIL2301-TP 起订500个装
    MCC Mosfet场效应管 SIL2301-TP 起订500个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIL2301-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:405pF@10V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:90mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6312P 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6312P 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC6312P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:467pF@10V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:115mΩ@2.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS806NEH6327XTSA1 起订750个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS806NEH6327XTSA1 起订750个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS806NEH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:750mV@11µA

    栅极电荷:1.7nC@2.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:529pF@10V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:57mΩ@2.3A,2.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 SIL2301-TP 起订100个装
    MCC Mosfet场效应管 SIL2301-TP 起订100个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIL2301-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:405pF@10V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:90mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8812DB-T2-E1 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8812DB-T2-E1 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8812DB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:59mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS806NEH6327XTSA1 起订50个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS806NEH6327XTSA1 起订50个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS806NEH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:750mV@11µA

    栅极电荷:1.7nC@2.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:529pF@10V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:57mΩ@2.3A,2.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6312P 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6312P 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC6312P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:467pF@10V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:115mΩ@2.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7104TRPBF 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7104TRPBF 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7104TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:290pF@15V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:250mΩ@1A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS806NEH6327XTSA1 起订1500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS806NEH6327XTSA1 起订1500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS806NEH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:750mV@11µA

    栅极电荷:1.7nC@2.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:529pF@10V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:57mΩ@2.3A,2.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STR2N2VH5 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STR2N2VH5 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STR2N2VH5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:700mV@250µA

    栅极电荷:4.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:367pF@16V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJD3115PT1G 起订9000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJD3115PT1G 起订9000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJD3115PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:710mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:531pF@10V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:100mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7104TRPBF 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7104TRPBF 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7104TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:290pF@15V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:250mΩ@1A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8812DB-T2-E1 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8812DB-T2-E1 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8812DB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:59mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLGF3402PT2G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLGF3402PT2G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":117000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLGF3402PT2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.14W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@10V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:140mΩ@2.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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