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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN304P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.312nF@10V
连续漏极电流：2.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：52mΩ@4.5V，2.4A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：463mW€1.9W
阈值电压：1.25V@250μA
栅极电荷：6nC@4.5V
输入电容：386pF@10V
连续漏极电流：2.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：128mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：463mW€1.9W
阈值电压：1.25V@250μA
栅极电荷：6nC@4.5V
输入电容：386pF@10V
连续漏极电流：2.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：128mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN302P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：882pF@10V
连续漏极电流：2.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：55mΩ@4.5V，2.4A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
