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    漏源电压: 20V
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    包装方式: 卷带(TR)
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    DIODES Mosfet场效应管 DMP2120U-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2120U-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2120U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:6.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:487pF@20V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:62mΩ@4.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDME1024NZT
    onsemi Mosfet场效应管 FDME1024NZT

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDME1024NZT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@10V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:66mΩ@3.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    加购:5000
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2120U-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2120U-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2120U-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:487pF@20V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:62mΩ@4.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:8
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2120U-7 起订38个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2120U-7 起订38个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2120U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:6.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:487pF@20V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:62mΩ@4.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:38
    onsemi Mosfet场效应管 FDME1024NZT
    onsemi Mosfet场效应管 FDME1024NZT

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDME1024NZT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@10V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:66mΩ@3.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2075UVT-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2075UVT-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2075UVT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:8.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:642pF@10V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:75mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:31
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2367DS-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2367DS-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2367DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960mW€1.7W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:561pF@10V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:66mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2120U-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2120U-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2120U-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:487pF@20V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:62mΩ@4.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2367DS-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2367DS-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2367DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960mW€1.7W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:561pF@10V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:66mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2120U-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2120U-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2120U-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:487pF@20V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:62mΩ@4.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:13
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDZ197PZ
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDZ197PZ

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":5000,"15+":24400}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDZ197PZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1570pF@10V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:64mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    onsemi Mosfet场效应管 FDME1024NZT
    onsemi Mosfet场效应管 FDME1024NZT

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDME1024NZT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@10V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:66mΩ@3.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    onsemi Mosfet场效应管 FDME1024NZT
    onsemi Mosfet场效应管 FDME1024NZT

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDME1024NZT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@10V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:66mΩ@3.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDME1024NZT
    onsemi Mosfet场效应管 FDME1024NZT

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDME1024NZT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@10V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:66mΩ@3.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2120U-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2120U-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2120U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:6.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:487pF@20V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:62mΩ@4.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2120U-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2120U-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2120U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:487pF@20V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:62mΩ@4.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FDME1024NZT
    onsemi Mosfet场效应管 FDME1024NZT

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDME1024NZT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@10V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:66mΩ@3.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    加购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2367DS-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2367DS-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2367DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960mW€1.7W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:23nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:561pF@10V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:66mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1500
    加购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2367DS-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2367DS-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2367DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960mW€1.7W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:561pF@10V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:66mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2120U-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2120U-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:24+

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2120U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:6.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:487pF@20V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:62mΩ@4.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2367DS-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2367DS-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2367DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960mW€1.7W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:561pF@10V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:66mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2367DS-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2367DS-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2367DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960mW€1.7W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:561pF@10V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:66mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2120U-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2120U-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:24+

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2120U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:6.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:487pF@20V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:62mΩ@4.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:200
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2120U-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2120U-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2120U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:487pF@20V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:62mΩ@4.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2120U-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2120U-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2120U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:487pF@20V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:62mΩ@4.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 FDME1024NZT
    onsemi Mosfet场效应管 FDME1024NZT

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDME1024NZT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@10V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:66mΩ@3.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2120U-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2120U-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2120U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:6.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:487pF@20V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:62mΩ@4.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:57
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2120U-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2120U-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2120U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:487pF@20V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:62mΩ@4.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:30000
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2120U-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2120U-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2120U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:487pF@20V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:62mΩ@4.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI2367DS-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2367DS-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2367DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960mW€1.7W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:561pF@10V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:66mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:3000
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