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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2120U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：6.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：487pF@20V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：62mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2120U-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：487pF@20V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：62mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2120U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：6.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：487pF@20V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：62mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2075UVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：642pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2367DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW€1.7W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：561pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：66mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2120U-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：487pF@20V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：62mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2367DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW€1.7W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：561pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：66mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2120U-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：487pF@20V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：62mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：5000，"15+"：24400}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDZ197PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1570pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：64mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2120U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：6.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：487pF@20V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：62mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2120U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：487pF@20V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：62mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2367DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW€1.7W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：23nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：561pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：66mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2367DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW€1.7W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：561pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：66mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2367DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW€1.7W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：561pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：66mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2367DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW€1.7W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：561pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：66mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2120U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：6.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：487pF@20V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：62mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2120U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：487pF@20V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：62mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2120U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：487pF@20V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：62mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2120U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：6.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：487pF@20V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：62mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2120U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：487pF@20V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：62mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2367DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW€1.7W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：561pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：66mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：5000，"15+"：24400}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDZ197PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1570pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：64mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2120U-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：487pF@20V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：62mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2120U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：6.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：487pF@20V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：62mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2075UVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：642pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2120U-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：487pF@20V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：62mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2120U-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：487pF@20V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：62mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2120U-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：487pF@20V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：62mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2120U-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：487pF@20V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：62mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2120U-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：487pF@20V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：62mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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