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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2750}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSR202NL6327HTSA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@30μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.147nF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：21mΩ@3.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2075UVT-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：8.8nC@4.5V
输入电容：642pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：75mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2075UVT-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：8.8nC@4.5V
输入电容：642pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：75mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSR202NL6327HTSA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@30μA
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.147nF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：21mΩ@3.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2075UVT-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：8.8nC@4.5V
输入电容：642pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：75mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2120U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：487pF@20V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：62mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2075UVT-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：8.8nC@4.5V
输入电容：642pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：75mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSR202NL6327HTSA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@30μA
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.147nF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：21mΩ@3.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2075UVT-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：8.8nC@4.5V
输入电容：642pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：75mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2075UVT-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：8.8nC@4.5V
输入电容：642pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：75mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2075UVT-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：8.8nC@4.5V
输入电容：642pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：75mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSR202NL6327HTSA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@30μA
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.147nF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：21mΩ@3.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSR202NL6327HTSA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@30μA
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.147nF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：21mΩ@3.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSR202NL6327HTSA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@30μA
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.147nF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：21mΩ@3.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSR202NL6327HTSA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@30μA
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.147nF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：21mΩ@3.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSR202NL6327HTSA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@30μA
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.147nF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：21mΩ@3.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSR202NL6327HTSA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@30μA
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.147nF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：21mΩ@3.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSR202NL6327HTSA1
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
导通电阻：21mΩ@3.8A，4.5V
连续漏极电流：3.8A
功率：500mW
工作温度：-55℃~+150℃
漏源电压：20V
阈值电压：1.2V@30μA
输入电容：1.147nF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSR202NL6327HTSA1
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
导通电阻：21mΩ@3.8A，4.5V
连续漏极电流：3.8A
功率：500mW
工作温度：-55℃~+150℃
漏源电压：20V
阈值电压：1.2V@30μA
输入电容：1.147nF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2075UVT-13
连续漏极电流：3.8A
输入电容：642pF@10V
栅极电荷：8.8nC@4.5V
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：1V@250μA
漏源电压：20V
导通电阻：75mΩ@4A，4.5V
功率：1.2W
类型：1个P沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSR202NL6327HTSA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@30μA
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.147nF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：21mΩ@3.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSR202NL6327HTSA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@30μA
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.147nF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：21mΩ@3.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSR202NL6327HTSA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@30μA
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.147nF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：21mΩ@3.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：6.5nC@4.5V
输入电容：536pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：2个P沟道
导通电阻：70mΩ@4.5V，2.8A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSR202NL6327HTSA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@30μA
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.147nF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：21mΩ@3.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS9933A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：2个P沟道
导通电阻：75mΩ@3.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSR202NL6327HTSA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@30μA
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.147nF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：21mΩ@3.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSR202NL6327HTSA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@30μA
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.147nF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：21mΩ@3.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSR202NL6327HTSA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@30μA
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.147nF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：21mΩ@3.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSR202NL6327HTSA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@30μA
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.147nF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：21mΩ@3.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
