采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV48XPA2R
工作温度：-55℃~175℃
功率：610mW€8.3W
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：679pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：49mΩ@4A，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3415UQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：294pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：42.5mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCH6321-TL-E
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：375pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：83mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J412TU，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：12.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：42.7mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3415_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：756pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：57mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3415A-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：2990}
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCH6321-TL-W
工作温度：150℃
功率：1.5W
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：375pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：83mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC642P
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：925pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIL3415-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：17.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3415
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：17.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3415U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：9.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：294pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1441EDH-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@8V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：41mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：2990，"18+"：25000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN42XPE，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW€8.33W
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1410pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：46mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25202W15
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.05V@250µA
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1010pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTQ040P02TR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：12.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25202W15T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.05V@250µA
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1010pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3415UQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：294pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：42.5mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3415A-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1163}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC642P-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3415-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：17.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3415A-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：2990，"18+"：25000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN42XPE，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW€8.33W
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1410pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：46mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3000，"23+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC642P
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：925pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3415U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：9.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：294pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3415A-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMCM4401UPEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW€12.5W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3415A
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：17.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：36mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3415A
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：17.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：36mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J331R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3000，"23+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC642P
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：925pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
