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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3415_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：756pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：57mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3415_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：756pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：57mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3419_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：6.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：602pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@4A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3415_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：756pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：57mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3415_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：756pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：57mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3419_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：6.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：602pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@4A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3415_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：756pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：57mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3415_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：756pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：57mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3415_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：756pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：57mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3419_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：6.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：602pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@4A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3419_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：6.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：602pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@4A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3419_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：6.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：602pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@4A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3419_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：6.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：602pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@4A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3415A-TP
功率：1.4W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：900mV@250µA
输入电容：950pF@10V
导通电阻：45mΩ@4A，4.5V
栅极电荷：12nC@4.5V
类型：P沟道
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIL3415-TP
功率：1.4W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
输入电容：1450pF@10V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：17.2nC@4.5V
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@4A，4.5V
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3415UQ-7
栅极电荷：9.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：42.5mΩ@4A，4.5V
功率：900mW
类型：P沟道
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
输入电容：294pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV32UP，215
输入电容：1890pF@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
导通电阻：36mΩ@2.4A，4.5V
栅极电荷：15.5nC@4.5V
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW
类型：P沟道
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
阈值电压：950mV@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"15+"：9000}
规格型号(MPN)：SI3443DV
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
工作温度：-55℃~150℃
类型：P沟道
输入电容：640pF@10V
阈值电压：1.5V@250µA
漏源电压：20V
导通电阻：65mΩ@4A，4.5V
栅极电荷：10nC@4.5V
功率：1.6W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"22+"：3000，"23+"：6000}
规格型号(MPN)：FDC642P
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：925pF@10V
类型：P沟道
阈值电压：1.5V@250µA
漏源电压：20V
导通电阻：65mΩ@4A，4.5V
功率：1.6W
栅极电荷：16nC@4.5V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV32UP，215
输入电容：1890pF@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
导通电阻：36mΩ@2.4A，4.5V
栅极电荷：15.5nC@4.5V
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW
类型：P沟道
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
阈值电压：950mV@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3415UQ-7
栅极电荷：9.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：42.5mΩ@4A，4.5V
功率：900mW
类型：P沟道
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
输入电容：294pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3419_R1_00001
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：6.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：60mΩ@4A，10V
输入电容：602pF@10V
类型：P沟道
漏源电压：20V
功率：1.25W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIL3415-TP
功率：1.4W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
输入电容：1450pF@10V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：17.2nC@4.5V
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@4A，4.5V
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：2990，"18+"：25000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN42XPE，115
阈值电压：1.25V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
栅极电荷：17.3nC@4.5V
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：46mΩ@3A，4.5V
类型：P沟道
功率：500mW€8.33W
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
输入电容：1410pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3415A-TP
功率：1.4W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：900mV@250µA
输入电容：950pF@10V
导通电阻：45mΩ@4A，4.5V
栅极电荷：12nC@4.5V
类型：P沟道
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：16+
规格型号(MPN)：AO3415
漏源电压：-20V
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：41mΩ@-4A，-4.5V
类型：P-Channel
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
连续漏极电流：-4A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3415A-TP
功率：1.4W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：900mV@250µA
输入电容：950pF@10V
导通电阻：45mΩ@4A，4.5V
栅极电荷：12nC@4.5V
类型：P沟道
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC642P
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：925pF@10V
类型：P沟道
阈值电压：1.5V@250µA
漏源电压：20V
导通电阻：65mΩ@4A，4.5V
功率：1.6W
栅极电荷：16nC@4.5V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1441EDH-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
工作温度：-55℃~150℃
类型：P沟道
导通电阻：41mΩ@5A，4.5V
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：33nC@8V
漏源电压：20V
功率：2.8W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3415_R1_00001
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：18nC@4.5V
输入电容：756pF@10V
类型：P沟道
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
导通电阻：57mΩ@4A，4.5V
功率：1.25W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
