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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5935CDC-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：455pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：100mΩ@3.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5935CDC-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：455pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：100mΩ@3.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5935CDC-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：455pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：100mΩ@3.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI9933CDY-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：665pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：58mΩ@4.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI9933CDY-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：665pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：58mΩ@4.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6P49NU，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：480pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：45mΩ@3.5A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6P49NU，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：480pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：45mΩ@3.5A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI9933CDY-T1-E3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：665pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：58mΩ@4.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5935CDC-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：455pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：100mΩ@3.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5935CDC-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：455pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：100mΩ@3.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5935CDC-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：455pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：100mΩ@3.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI9933CDY-T1-E3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：665pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：58mΩ@4.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI9933CDY-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：665pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：58mΩ@4.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI9933CDY-T1-E3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：665pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：58mΩ@4.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI9933CDY-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：665pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：58mΩ@4.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5935CDC-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：455pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：100mΩ@3.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5935CDC-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：455pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：100mΩ@3.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI9933CDY-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：665pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：58mΩ@4.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6P49NU，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：480pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：45mΩ@3.5A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO211PHXUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.2V@25µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1095pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：67mΩ@4.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI9933CDY-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：665pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：58mΩ@4.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO211PHXUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.2V@25µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1095pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：67mΩ@4.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI9933CDY-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：665pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：58mΩ@4.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：24850，"17+"：7500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO211PHXUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.2V@25µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1095pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：67mΩ@4.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI9933CDY-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：665pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：58mΩ@4.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI9933CDY-T1-E3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：665pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：58mΩ@4.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6P49NU，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：480pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：45mΩ@3.5A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5935CDC-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：455pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：100mΩ@3.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI9933CDY-T1-E3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：665pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：58mΩ@4.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5935CDC-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：455pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：100mΩ@3.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
