采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA1024NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：54mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUQ050N02TR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.3V@1mA
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6C050UNTR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3469DV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.14W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@6.7A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：8205A
功率：830mW
阈值电压：1.2V@250μA
连续漏极电流：5A
类型：2个N沟道
导通电阻：27mΩ@4.5V，5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUQ050N02TR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.3V@1mA
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3469DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.14W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@6.7A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA1024NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：54mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2312
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：11nC@4.5V
输入电容：780pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：12mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV28XPEAR
工作温度：-55℃~175℃
功率：610mW€8.3W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1025pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@5A，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6C050BCTCR
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@1mA
栅极电荷：10.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：36mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA1024NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：54mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UT6JA3TCR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：59mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UT6JA3TCR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：59mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD85301Q2T
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：469pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：27mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6C050BCTCR
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@1mA
栅极电荷：10.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：36mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2312-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：865pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@4.3A，1.8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3469DV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.14W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@6.7A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3415A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：940pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8654-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.5W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：960pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：38mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3469DV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.14W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@6.7A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD85301Q2T
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：469pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：27mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO207PHXUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.2V@44µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：45mΩ@5.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3469DV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.14W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@6.7A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6C050BCTCR
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@1mA
栅极电荷：10.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：36mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3415A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：940pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD85301Q2T
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：469pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：27mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J771G，LF
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：31mΩ@3A，8.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO207PHXUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.2V@44µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：45mΩ@5.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB43XPEAX
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€12.5W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
