品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:500pC@4.5V
输入电容:27.6pF@16V
连续漏极电流:450mA
类型:2个N沟道
导通电阻:990mΩ@4.5V,100mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:190mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:2.5nC@4.5V
输入电容:45pF@10V
连续漏极电流:450mA
类型:1个P沟道
导通电阻:760mΩ@400mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:190mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:2.5nC@4.5V
输入电容:45pF@10V
连续漏极电流:450mA
类型:1个P沟道
导通电阻:760mΩ@400mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:190mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:2.5nC@4.5V
输入电容:45pF@10V
连续漏极电流:450mA
类型:1个P沟道
导通电阻:760mΩ@400mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
连续漏极电流:450mA
工作温度:-55℃~+150℃
栅极电荷:2.5nC@4.5V
阈值电压:1V@250μA
漏源电压:20V
输入电容:45pF@10V
导通电阻:760mΩ@400mA,4.5V
类型:1个P沟道
功率:190mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
连续漏极电流:450mA
工作温度:-55℃~+150℃
栅极电荷:2.5nC@4.5V
阈值电压:1V@250μA
漏源电压:20V
输入电容:45pF@10V
导通电阻:760mΩ@400mA,4.5V
类型:1个P沟道
功率:190mW
包装清单:商品主体 * 1
库存: