首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    漏源电压: 20V
    连续漏极电流: 630mA
    行业应用: 工业
    当前匹配商品:200+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012T-7 起订87个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012T-7 起订87个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1012T-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.74nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60.67pF@16V

    连续漏极电流:630mA

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012T-13 起订68个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012T-13 起订68个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1012T-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.74nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60.67pF@16V

    连续漏极电流:630mA

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012TQ-7 起订47个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012TQ-7 起订47个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1012TQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.74nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60.67pF@16V

    连续漏极电流:630mA

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD4401NT1G 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD4401NT1G 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTJD4401NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:270mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46pF@20V

    连续漏极电流:630mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:375mΩ@630mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012T-13 起订39个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012T-13 起订39个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1012T-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.74nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60.67pF@16V

    连续漏极电流:630mA

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012T-7 起订14个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012T-7 起订14个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1012T-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.74nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60.67pF@16V

    连续漏极电流:630mA

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD4401NT1G 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD4401NT1G 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTJD4401NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:270mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46pF@20V

    连续漏极电流:630mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:375mΩ@630mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2004K-7 起订44个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2004K-7 起订44个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2004K-7

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@16V

    连续漏极电流:630mA

    类型:N沟道

    导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS209PWH6327XTSA1 起订33个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS209PWH6327XTSA1 起订33个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS209PWH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.2V@3.5µA

    栅极电荷:1.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:115pF@15V

    连续漏极电流:630mA

    类型:P沟道

    导通电阻:550mΩ@630mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012T-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012T-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1012T-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.74nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60.67pF@16V

    连续漏极电流:630mA

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2004K-7 起订62个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2004K-7 起订62个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2004K-7

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@16V

    连续漏极电流:630mA

    类型:N沟道

    导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012T-7 起订12个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012T-7 起订12个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1012T-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.74nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60.67pF@16V

    连续漏极电流:630mA

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD4401NT1G 起订59个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD4401NT1G 起订59个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTJD4401NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:270mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46pF@20V

    连续漏极电流:630mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:375mΩ@630mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012T-7 起订25个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012T-7 起订25个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1012T-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.74nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60.67pF@16V

    连续漏极电流:630mA

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012T-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012T-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1012T-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.74nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60.67pF@16V

    连续漏极电流:630mA

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012T-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012T-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1012T-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.74nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60.67pF@16V

    连续漏极电流:630mA

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS209PWH6327 起订30个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS209PWH6327 起订30个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS209PWH6327

    功率:300mW

    阈值电压:1.2V@3.5μA

    连续漏极电流:630mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:550mΩ@4.5V,630mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS209PWH6327 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS209PWH6327 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS209PWH6327

    功率:300mW

    阈值电压:1.2V@3.5μA

    连续漏极电流:630mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:550mΩ@4.5V,630mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2004K-7 起订12个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2004K-7 起订12个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2004K-7

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@16V

    连续漏极电流:630mA

    类型:N沟道

    导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2004K-7 起订9个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2004K-7 起订9个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2004K-7

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@16V

    连续漏极电流:630mA

    类型:N沟道

    导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1012CR-T1-GE3 起订9000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1012CR-T1-GE3 起订9000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1012CR-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:240mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:2nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:43pF@10V

    连续漏极电流:630mA

    类型:N沟道

    导通电阻:396mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2004K-7 起订50个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2004K-7 起订50个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2004K-7

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@16V

    连续漏极电流:630mA

    类型:N沟道

    导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1012CR-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1012CR-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1012CR-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:240mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:43pF@10V

    连续漏极电流:630mA

    类型:N沟道

    导通电阻:396mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS209PWH6327XTSA1 起订21000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS209PWH6327XTSA1 起订21000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS209PWH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.2V@3.5µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:115pF@15V

    连续漏极电流:630mA

    类型:P沟道

    导通电阻:550mΩ@630mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2004K-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2004K-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2004K-7

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@16V

    连续漏极电流:630mA

    类型:N沟道

    导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012TQ-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012TQ-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1012TQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.74nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60.67pF@16V

    连续漏极电流:630mA

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1012CR-T1-GE3 起订12000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1012CR-T1-GE3 起订12000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1012CR-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:240mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:2nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:43pF@10V

    连续漏极电流:630mA

    类型:N沟道

    导通电阻:396mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS209PWH6327 起订1200个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS209PWH6327 起订1200个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS209PWH6327

    功率:300mW

    阈值电压:1.2V@3.5μA

    连续漏极电流:630mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:550mΩ@4.5V,630mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2004K-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2004K-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2004K-7

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@16V

    连续漏极电流:630mA

    类型:N沟道

    导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD4401NT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD4401NT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTJD4401NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:270mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46pF@20V

    连续漏极电流:630mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:375mΩ@630mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧