采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2047UCB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：218pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：47mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3412-AU_R1_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@4.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN48XP，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：530mW€6.25W
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2047UCB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：2.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：218pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：47mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6926ADQ-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：30mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN48XP，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：530mW€6.25W
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2F30FHTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：4.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：452pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML6246TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.1V@5µA
栅极电荷：3.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@16V
连续漏极电流：4.1A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@4.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN48XP，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：530mW€6.25W
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2047UCB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：218pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：47mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2047UCB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：218pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：47mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN48XP，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：530mW€6.25W
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2047UCB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：218pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：47mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML6246TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.1V@5µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@16V
连续漏极电流：4.1A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@4.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2047UCB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：2.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：218pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：47mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：36000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN48XP，125
工作温度：-55℃~150℃
功率：530mW€6.25W
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML6246TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.1V@5µA
栅极电荷：3.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@16V
连续漏极电流：4.1A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@4.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN48XPAX
工作温度：-55℃~150℃
功率：530mW€6.25W
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN48XP，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：530mW€6.25W
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2F30FHTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：452pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3412-AU_R1_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@4.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3412-AU_R1_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@4.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML6246TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.1V@5µA
栅极电荷：3.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@16V
连续漏极电流：4.1A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@4.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML6246TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.1V@5µA
栅极电荷：3.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@16V
连续漏极电流：4.1A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@4.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN48XPAX
工作温度：-55℃~150℃
功率：530mW€6.25W
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2F30FHTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：4.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：452pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6926ADQ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：30mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2F30FHTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：4.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：452pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2F30FHTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：452pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN48XPAX
工作温度：-55℃~150℃
功率：530mW€6.25W
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
