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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJE8408_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：67pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJE8408_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：67pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJE8408_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：67pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJE8408_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：67pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJE8408_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：67pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2014
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：17.5nC@4.5V
输入电容：1.71nF@10V
连续漏极电流：14A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.8mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2014
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：17.5nC@4.5V
输入电容：1.71nF@10V
连续漏极电流：14A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.8mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJE8408_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：67pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：490mW€5W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：11nC@4.5V
输入电容：655pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：32mΩ@4.5V，4.2A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJE8408_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：67pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJE8408_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：67pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJE8408_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：67pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJE8408_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：67pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2014
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：17.5nC@4.5V
输入电容：1.71nF@10V
连续漏极电流：14A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.8mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2014
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：17.5nC@4.5V
输入电容：1.71nF@10V
连续漏极电流：14A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.8mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LSI1012XT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：250mW
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：750pC@4.5V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：410mΩ@4.5V，600mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LSI1012XT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：250mW
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：750pC@4.5V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：410mΩ@4.5V，600mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
阈值电压：900mV@250μA
输入电容：655pF@10V
连续漏极电流：4.2A
功率：490mW€5W
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
导通电阻：32mΩ@4.5V，4.2A
漏源电压：20V
栅极电荷：11nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJE8408_R1_00001
阈值电压：900mV@250μA
导通电阻：400mΩ@500mA，4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
栅极电荷：1.4nC@4.5V
输入电容：67pF@10V
功率：300mW
工作温度：-55℃~+150℃
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJE8408_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：67pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJE8408_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：67pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJE8408_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：67pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：250mW
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：750pC@4.5V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：700mΩ@4.5V，600mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：510mW€6.94W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：20.2nC@4.5V
输入电容：1.24nF@10V
连续漏极电流：6.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：20mΩ@4.5V，6.8A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
输入电容：67pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
输入电容：67pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
输入电容：151pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@4.5V，6.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2014
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：17.5nC@4.5V
输入电容：1.71nF@10V
连续漏极电流：14A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.8mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：780mW
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：9.6nC@4.5V
输入电容：829.9pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@4.5V，8.2A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJE8408_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：67pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
