采购热线 400-661-9010
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：567000}
包装规格(MPQ)：508psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2680T1E-E2-AT
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：散装
输入电容：190pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：50mΩ@3A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3476(TE12L，Q
功率：20W
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@50μA
栅极电荷：10nC@4.5V
输入电容：237pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
反向传输电容：45pF@10V
导通电阻：55mΩ@4.5V，3.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRCS2302MA
功率：900mW
阈值电压：1V@50μA
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：41mΩ@2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：born
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2302
功率：1.25W
阈值电压：1.5V@250μA
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@4.5V，3A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3476(TE12L，Q
功率：20W
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：10nC@4.5V
输入电容：700pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@4.5V，3A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：10nC@4.5V
输入电容：700pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@4.5V，3A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：567000}
包装规格(MPQ)：508psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2680T1E-E2-AT
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：散装
输入电容：190pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：50mΩ@3A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@50μA
栅极电荷：10nC@4.5V
输入电容：237pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
反向传输电容：45pF@10V
导通电阻：55mΩ@4.5V，3.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRCS2302MA
功率：900mW
阈值电压：1V@50μA
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：41mΩ@2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRCS2302MA
功率：900mW
阈值电压：1V@50μA
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：41mΩ@2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：born
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2302
功率：1.25W
阈值电压：1.5V@250μA
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@4.5V，3A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：宏迦橙
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HL2302
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：750mV@250μA
栅极电荷：4.5nC@4.5V
输入电容：120pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
反向传输电容：25pF@10V
导通电阻：55mΩ@4.5V，2.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：born
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2302
功率：1.25W
阈值电压：1.5V@250μA
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@4.5V，3A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3476(TE12L，Q
功率：20W
类型：1个N沟道
漏源电压：20V
连续漏极电流：3A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：born
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2302
功率：1.25W
阈值电压：1.5V@250μA
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@4.5V，3A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：508psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2680T1E-E2-AT
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：散装
输入电容：190pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：50mΩ@3A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：born
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2302
功率：1.25W
阈值电压：1.5V@250μA
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@4.5V，3A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：born
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2302S
功率：1W
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：80mΩ@2.5V，1A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：宏迦橙
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HL2302
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：750mV@250μA
栅极电荷：4.5nC@4.5V
输入电容：120pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
反向传输电容：25pF@10V
导通电阻：55mΩ@4.5V，2.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：born
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2302
功率：1.25W
阈值电压：1.5V@250μA
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@4.5V，3A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：born
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2302S
功率：1W
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：80mΩ@2.5V，1A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：born
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2302
功率：1.25W
阈值电压：1.5V@250μA
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@4.5V，3A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：567000}
包装规格(MPQ)：508psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2680T1E-E2-AT
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：散装
输入电容：190pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：50mΩ@3A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：born
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2302S
功率：1W
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：80mΩ@2.5V，1A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：宏迦橙
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HL2302
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：750mV@250μA
栅极电荷：4.5nC@4.5V
输入电容：120pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
反向传输电容：25pF@10V
导通电阻：55mΩ@4.5V，2.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：born
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2302
功率：1.25W
阈值电压：1.5V@250μA
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@4.5V，3A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3476(TE12L，Q
功率：20W
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@50μA
栅极电荷：10nC@4.5V
输入电容：237pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
反向传输电容：45pF@10V
导通电阻：55mΩ@4.5V，3.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
