采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2991UFZ-7B
工作温度：-55℃~+150℃
功率：530mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：350pC@4.5V
输入电容：21.5pF@16V
连续漏极电流：550mA
类型：1个N沟道
导通电阻：990mΩ@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNM2046C-3/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：270mW
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：1.07nC@4.5V
输入电容：30pF@10V
连续漏极电流：550mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：5pF@10V
导通电阻：420mΩ@4.5V，350mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：WNM2046C-3/TR
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功率：270mW
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：1.07nC@4.5V
输入电容：30pF@10V
连续漏极电流：550mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：5pF@10V
导通电阻：420mΩ@4.5V，350mA
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
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栅极电荷：350pC@4.5V
输入电容：21.5pF@16V
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类型：1个N沟道
导通电阻：990mΩ@100mA，4.5V
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栅极电荷：350pC@4.5V
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类型：1个N沟道
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反向传输电容：5pF@10V
导通电阻：420mΩ@4.5V，350mA
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栅极电荷：1.07nC@4.5V
输入电容：30pF@10V
连续漏极电流：550mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：5pF@10V
导通电阻：420mΩ@4.5V，350mA
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连续漏极电流：550mA
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导通电阻：990mΩ@100mA，4.5V
漏源电压：20V
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