采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2991UT-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：280mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：350pC@4.5V
输入电容：21.5pF@15V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2991UT-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：280mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：350pC@4.5V
输入电容：21.5pF@15V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2991UT-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：280mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：350pC@4.5V
输入电容：21.5pF@15V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2991UT-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：280mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：350pC@4.5V
输入电容：21.5pF@15V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2991UT-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：280mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：350pC@4.5V
输入电容：21.5pF@15V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2991UT-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：280mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：350pC@4.5V
输入电容：21.5pF@15V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2991UT-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：280mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：350pC@4.5V
输入电容：21.5pF@15V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2991UT-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：280mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：350pC@4.5V
输入电容：21.5pF@15V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2991UT-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：280mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：350pC@4.5V
输入电容：21.5pF@15V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1Ω@300mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1Ω@300mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1Ω@300mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1Ω@300mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2991UT-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：280mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：350pC@4.5V
输入电容：21.5pF@15V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2991UT-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：280mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：350pC@4.5V
输入电容：21.5pF@15V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNM4002-3/TR
功率：250mW
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@4.5V，350mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNM4002-3/TR
功率：250mW
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@4.5V，350mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2991UT-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：280mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：350pC@4.5V
输入电容：21.5pF@15V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2991UT-13
连续漏极电流：300mA
工作温度：-55℃~+150℃
功率：280mW
栅极电荷：350pC@4.5V
类型：1个N沟道
输入电容：21.5pF@15V
阈值电压：1V@250μA
漏源电压：20V
导通电阻：3Ω@100mA，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2991UT-13
连续漏极电流：300mA
工作温度：-55℃~+150℃
功率：280mW
栅极电荷：350pC@4.5V
类型：1个N沟道
输入电容：21.5pF@15V
阈值电压：1V@250μA
漏源电压：20V
导通电阻：3Ω@100mA，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBF0201NLT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：225mW
阈值电压：2.4V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@5V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1Ω@10V，300mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1Ω@300mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150mW
阈值电压：2.4V@250μA
输入电容：45pF@5V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1Ω@10V，300mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1Ω@300mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
连续漏极电流：300mA
阈值电压：2.4V@250μA
导通电阻：1Ω@10V，300mA
工作温度：-55℃~+150℃
输入电容：45pF@5V
类型：1个N沟道
漏源电压：20V
功率：225mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
