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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.13W
阈值电压：1.2V @ 250µA
栅极电荷：4nC @ 4.5V
输入电容：180pF @ 10V
连续漏极电流：3A
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：75 毫欧 @ 3.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.13W
阈值电压：1.2V @ 250µA
栅极电荷：4nC @ 4.5V
输入电容：180pF @ 10V
连续漏极电流：3A
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：75 毫欧 @ 3.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：410mW
阈值电压：1.5V @ 250µA
栅极电荷：0.72nC @ 4.5V
输入电容：34pF @ 20V
连续漏极电流：860mA
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：350 毫欧 @ 200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.1W
阈值电压：1V @ 250µA
栅极电荷：3.8nC @ 4.5V
输入电容：279pF @ 10V
连续漏极电流：1.7A
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：200 毫欧 @ 1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：410mW
阈值电压：1.5V @ 250µA
栅极电荷：0.72nC @ 4.5V
输入电容：34pF @ 20V
连续漏极电流：860mA
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：350 毫欧 @ 200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.1W
阈值电压：1V @ 250µA
栅极电荷：7.5nC @ 4.5V
连续漏极电流：4.4A
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：40 毫欧 @ 4.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：830mW
阈值电压：1V @ 250µA
栅极电荷：10.5nC @ 4.5V
连续漏极电流：4.1A
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：30 毫欧 @ 4.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.1W
阈值电压：1V @ 250µA
栅极电荷：7.5nC @ 4.5V
连续漏极电流：4.4A
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：40 毫欧 @ 4.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C
功率：250mW
阈值电压：1V @ 100µA
栅极电荷：0.34nC @ 4.5V
输入电容：36pF @ 10V
连续漏极电流：250mA（Ta）
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：1.1 欧姆 @ 150mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：830mW
阈值电压：1V @ 250µA
栅极电荷：10.5nC @ 4.5V
连续漏极电流：4.1A
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：30 毫欧 @ 4.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：830mW
阈值电压：1V @ 250µA
栅极电荷：10.5nC @ 4.5V
连续漏极电流：4.1A
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：30 毫欧 @ 4.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：200mW
阈值电压：1.1V @ 100µA
输入电容：9.3pF @ 3V
连续漏极电流：100mA
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：3 欧姆 @ 10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.1W
阈值电压：1V @ 250µA
栅极电荷：7.5nC @ 4.5V
连续漏极电流：4.4A
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：40 毫欧 @ 4.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：200mW
阈值电压：1.1V @ 100µA
输入电容：9.3pF @ 3V
连续漏极电流：100mA
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：3 欧姆 @ 10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.1W
阈值电压：1V @ 250µA
栅极电荷：7.5nC @ 4.5V
连续漏极电流：4.4A
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：40 毫欧 @ 4.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：830mW
阈值电压：1V @ 250µA
栅极电荷：10.5nC @ 4.5V
连续漏极电流：4.1A
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：30 毫欧 @ 4.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.1W
阈值电压：1V @ 250µA
栅极电荷：7.5nC @ 4.5V
连续漏极电流：4.4A
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：40 毫欧 @ 4.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.1W
阈值电压：1V @ 250µA
栅极电荷：7.5nC @ 4.5V
连续漏极电流：4.4A
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：40 毫欧 @ 4.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.1W
阈值电压：1V @ 250µA
栅极电荷：7.5nC @ 4.5V
连续漏极电流：4.4A
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：40 毫欧 @ 4.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.1W
阈值电压：1V @ 250µA
栅极电荷：7.5nC @ 4.5V
连续漏极电流：4.4A
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：40 毫欧 @ 4.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：1993，"10+"：414，"13+"：60}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD4508NT1G
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.13W
阈值电压：1.2V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC @ 4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF @ 10V
连续漏极电流：3A
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：75 毫欧 @ 3.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
栅极电荷：0.72nC @ 4.5V
漏源电压：20V
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：350 毫欧 @ 200mA，4.5V
输入电容：34pF @ 20V
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：410mW
阈值电压：1.5V @ 250µA
连续漏极电流：860mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
输入电容：9.3pF @ 3V
漏源电压：20V
类型：2 N-通道（双）
连续漏极电流：100mA
阈值电压：1.1V @ 100µA
功率：200mW
导通电阻：3 欧姆 @ 10mA，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
阈值电压：1V @ 250µA
栅极电荷：7.5nC @ 4.5V
功率：1.1W
漏源电压：20V
连续漏极电流：4.4A
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：40 毫欧 @ 4.4A，4.5V
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
