采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV305N
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：109pF@10V
连续漏极电流：900mA
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@900mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STR2N2VH5
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：367pF@16V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV305N
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：109pF@10V
连续漏极电流：900mA
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@900mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005K-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：900mV@100µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1.7Ω@200mA，2.7V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV305N
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
输入电容：109pF@10V
连续漏极电流：900mA
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@900mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2004K-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：630mA
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN26D0UFB4-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：散装
输入电容：14.1pF@15V
连续漏极电流：240mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2004K-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：630mA
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV305N
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
输入电容：109pF@10V
连续漏极电流：900mA
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@900mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2312-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：865pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@4.3A，1.8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO7408
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：62mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN26D0UFB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14.1pF@15V
连续漏极电流：230mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV305N
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：109pF@10V
连续漏极电流：900mA
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@900mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV305N
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
输入电容：109pF@10V
连续漏极电流：900mA
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@900mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV305N
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：109pF@10V
连续漏极电流：900mA
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@900mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV305N
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：109pF@10V
连续漏极电流：900mA
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@900mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV305N
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
输入电容：109pF@10V
连续漏极电流：900mA
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@900mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2004K-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：630mA
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2004K-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：630mA
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2004K-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：630mA
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV305N
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：109pF@10V
连续漏极电流：900mA
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@900mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2004K-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：630mA
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2004K-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：630mA
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV305N
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：109pF@10V
连续漏极电流：900mA
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@900mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2004K-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：630mA
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005K-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：900mV@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1.7Ω@200mA，2.7V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005K-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：900mV@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1.7Ω@200mA，2.7V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005K-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：900mV@100µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1.7Ω@200mA，2.7V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2004K-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：630mA
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV305N
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
输入电容：109pF@10V
连续漏极电流：900mA
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@900mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
