采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2302UQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@50µA
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：594.3pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2024U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：7.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：647pF@10V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2040U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：667pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2302UQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@50µA
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：594.3pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2024U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：647pF@10V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：4450，"14+"：13030，"17+"：15000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCH1430-TL-H
工作温度：150℃
功率：800mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：128pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2302U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@50µA
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：594.3pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：25000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCH1430-TL-W
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：128pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2024U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：647pF@10V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUF015N02TL
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：2.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2302UQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：594.3pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2024UQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：647pF@10V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2075U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：594.3pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2302UQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@50µA
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：594.3pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2040U-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：667pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUF015N02TL
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：2.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：30000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCH1433-TL-W
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：260pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2302UQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@50µA
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：594.3pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2040U-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：667pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：30000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCH1433-TL-W
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：260pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2302UQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@50µA
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：594.3pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUF015N02TL
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：2.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2024U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：647pF@10V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2302UQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@50µA
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：594.3pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUF015N02TL
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：2.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2302UQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@50µA
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：594.3pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2302UQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@50µA
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：594.3pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUF015N02TL
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：2.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUF015N02TL
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：2.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUF015N02TL
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：2.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
