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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUL035N02FRATR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：5.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN0702N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：袋
输入电容：200pF@20V
连续漏极电流：530mA
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@500mA，5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN0702N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
包装方式：袋
输入电容：200pF@20V
连续漏极电流：530mA
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@500mA，5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN0702N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
包装方式：袋
输入电容：200pF@20V
连续漏极电流：530mA
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@500mA，5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K62TU，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：177pF@10V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@800mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K344R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：153pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：71mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K344R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：153pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：71mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUL035N02FRATR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：5.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K345R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：410pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV8C010UNHZGG2CR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：470mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K344R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：2nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：153pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：71mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUL035N02FRATR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K345R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：410pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV8C010UNHZGG2CR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：470mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K344R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：153pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：71mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUL035N02FRATR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K62TU，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：177pF@10V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@800mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV8C010UNHZGG2CR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：470mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K345R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：410pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV8C010UNHZGG2CR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：470mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K345R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：410pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K344R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：153pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：71mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV8C010UNHZGG2CR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：470mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K345R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：3.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：410pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K344R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：2nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：153pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：71mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUL035N02FRATR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：5.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN0702N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
包装方式：袋
输入电容：200pF@20V
连续漏极电流：530mA
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@500mA，5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN0702N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
包装方式：袋
输入电容：200pF@20V
连续漏极电流：530mA
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@500mA，5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN0702N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
包装方式：袋
输入电容：200pF@20V
连续漏极电流：530mA
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@500mA，5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K345R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：410pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
