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    强茂 Mosfet场效应管 PJA3434_R1_00001 起订100个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3434_R1_00001 起订100个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3434_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:67pF@10V

    连续漏极电流:750mA

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3434_R1_00001 起订12个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3434_R1_00001 起订12个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3434_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:67pF@10V

    连续漏极电流:750mA

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3434_R1_00001 起订500个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3434_R1_00001 起订500个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3434_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:67pF@10V

    连续漏极电流:750mA

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3434_R1_00001 起订17个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3434_R1_00001 起订17个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3434_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:67pF@10V

    连续漏极电流:750mA

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3434_R1_00001 起订1000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3434_R1_00001 起订1000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3434_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:67pF@10V

    连续漏极电流:750mA

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3434_R1_00001 起订100个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3434_R1_00001 起订100个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3434_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:67pF@10V

    连续漏极电流:750mA

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3434_R1_00001 起订3000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3434_R1_00001 起订3000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3434_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:67pF@10V

    连续漏极电流:750mA

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3434_R1_00001 起订18个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3434_R1_00001 起订18个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3434_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:67pF@10V

    连续漏极电流:750mA

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8824EDB-T2-E1 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8824EDB-T2-E1 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8824EDB-T2-E1

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:75mΩ@1A,4.5V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:2.1A

    功率:500mW

    阈值电压:800mV@250µA

    漏源电压:20V

    输入电容:400pF@10V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8824EDB-T2-E1 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8824EDB-T2-E1 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8824EDB-T2-E1

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:75mΩ@1A,4.5V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:2.1A

    功率:500mW

    阈值电压:800mV@250µA

    漏源电压:20V

    输入电容:400pF@10V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2058UW-7 起订73个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2058UW-7 起订73个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2058UW-7

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:7.7nC@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:500mW

    导通电阻:42mΩ@3A,10V

    漏源电压:20V

    输入电容:281pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8812DB-T2-E1 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8812DB-T2-E1 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8812DB-T2-E1

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    栅极电荷:17nC@8V

    功率:500mW

    连续漏极电流:2.3A

    导通电阻:59mΩ@1A,4.5V

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8812DB-T2-E1 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8812DB-T2-E1 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8812DB-T2-E1

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    栅极电荷:17nC@8V

    功率:500mW

    连续漏极电流:2.3A

    导通电阻:59mΩ@1A,4.5V

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2501UFB4-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2501UFB4-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2501UFB4-7

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:82pF@16V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    栅极电荷:2nC@10V

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    连续漏极电流:1A

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2501UFB4-7 起订1200个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2501UFB4-7 起订1200个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2501UFB4-7

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:82pF@16V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    栅极电荷:2nC@10V

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    连续漏极电流:1A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDS331N 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDS331N 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDS331N

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:162pF@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:5nC@4.5V

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@1.5A,4.5V

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    连续漏极电流:1.3A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSD816SNH6327XTSA1 起订8334个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSD816SNH6327XTSA1 起订8334个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":6000,"15+":1695}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSD816SNH6327XTSA1

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    栅极电荷:0.6nC@2.5V

    导通电阻:160mΩ@1.4A,2.5V

    输入电容:180pF@10V

    功率:500mW

    阈值电压:950mV@3.7µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:1.4A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS214NWH6327XTSA1 起订1500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS214NWH6327XTSA1 起订1500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS214NWH6327XTSA1

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    栅极电荷:0.8nC@5V

    输入电容:143pF@10V

    导通电阻:140mΩ@1.5A,4.5V

    连续漏极电流:1.5A

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@3.7µA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6K211FE,LF 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6K211FE,LF 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6K211FE,LF

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:150℃

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    输入电容:510pF@10V

    栅极电荷:10.8nC@4.5V

    功率:500mW

    阈值电压:1V@1mA

    导通电阻:47mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6K403TU,LF 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6K403TU,LF 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6K403TU,LF

    连续漏极电流:4.2A

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:150℃

    类型:N沟道

    栅极电荷:16.8nC@4V

    输入电容:1050pF@10V

    导通电阻:28mΩ@3A,4V

    功率:500mW

    阈值电压:1V@1mA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD15380F3 起订28个装
    TI Mosfet场效应管 CSD15380F3 起订28个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD15380F3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    栅极电荷:0.281nC@10V

    阈值电压:1.35V@2.5µA

    功率:500mW

    漏源电压:20V

    输入电容:10.5pF@10V

    导通电阻:1190mΩ@100mA,8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K35AMFV,L3F 起订32个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K35AMFV,L3F 起订32个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K35AMFV,L3F

    栅极电荷:0.34nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:150℃

    连续漏极电流:250mA

    类型:N沟道

    输入电容:36pF@10V

    功率:500mW

    阈值电压:1V@100µA

    漏源电压:20V

    导通电阻:1.1Ω@150mA,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6K211FE,LF 起订100个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6K211FE,LF 起订100个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6K211FE,LF

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:150℃

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    输入电容:510pF@10V

    栅极电荷:10.8nC@4.5V

    功率:500mW

    阈值电压:1V@1mA

    导通电阻:47mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6K211FE,LF 起订2000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6K211FE,LF 起订2000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6K211FE,LF

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:150℃

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    输入电容:510pF@10V

    栅极电荷:10.8nC@4.5V

    功率:500mW

    阈值电压:1V@1mA

    导通电阻:47mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K56CT,L3F 起订2000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K56CT,L3F 起订2000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K56CT,L3F

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:150℃

    栅极电荷:1nC@4.5V

    输入电容:55pF@10V

    连续漏极电流:800mA

    类型:N沟道

    导通电阻:235mΩ@800mA,4.5V

    功率:500mW

    阈值电压:1V@1mA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS205NH6327XTSA1 起订21000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS205NH6327XTSA1 起订21000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS205NH6327XTSA1

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    栅极电荷:3.2nC@4.5V

    输入电容:419pF@10V

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@11µA

    漏源电压:20V

    连续漏极电流:2.5A

    ECCN:EAR99

    导通电阻:50mΩ@2.5A,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K35AMFV,L3F 起订46个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K35AMFV,L3F 起订46个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K35AMFV,L3F

    栅极电荷:0.34nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:150℃

    连续漏极电流:250mA

    类型:N沟道

    输入电容:36pF@10V

    功率:500mW

    阈值电压:1V@100µA

    漏源电压:20V

    导通电阻:1.1Ω@150mA,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2250UFB-7B 起订15个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2250UFB-7B 起订15个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2250UFB-7B

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:1.35A

    类型:N沟道

    栅极电荷:3.1nC@10V

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    输入电容:94pF@16V

    漏源电压:20V

    导通电阻:170mΩ@1A,4.5V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K35CTC,L3F 起订18个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K35CTC,L3F 起订18个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K35CTC,L3F

    栅极电荷:0.34nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:150℃

    连续漏极电流:250mA

    类型:N沟道

    输入电容:36pF@10V

    功率:500mW

    阈值电压:1V@100µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:1.1Ω@150mA,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K122TU,LF 起订100个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K122TU,LF 起订100个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K122TU,LF

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:2A

    栅极电荷:3.4nC@4V

    导通电阻:123mΩ@1A,4V

    功率:500mW

    阈值电压:1V@1mA

    输入电容:195pF@10V

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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