品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3434_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:67pF@10V
连续漏极电流:750mA
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3434_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:67pF@10V
连续漏极电流:750mA
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3434_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:67pF@10V
连续漏极电流:750mA
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3434_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:67pF@10V
连续漏极电流:750mA
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3434_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:67pF@10V
连续漏极电流:750mA
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3434_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:67pF@10V
连续漏极电流:750mA
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3434_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:67pF@10V
连续漏极电流:750mA
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3434_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:67pF@10V
连续漏极电流:750mA
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8824EDB-T2-E1
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:75mΩ@1A,4.5V
类型:N沟道
连续漏极电流:2.1A
功率:500mW
阈值电压:800mV@250µA
漏源电压:20V
输入电容:400pF@10V
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8824EDB-T2-E1
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:75mΩ@1A,4.5V
类型:N沟道
连续漏极电流:2.1A
功率:500mW
阈值电压:800mV@250µA
漏源电压:20V
输入电容:400pF@10V
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2058UW-7
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:7.7nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:500mW
导通电阻:42mΩ@3A,10V
漏源电压:20V
输入电容:281pF@10V
连续漏极电流:3.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8812DB-T2-E1
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:17nC@8V
功率:500mW
连续漏极电流:2.3A
导通电阻:59mΩ@1A,4.5V
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8812DB-T2-E1
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:17nC@8V
功率:500mW
连续漏极电流:2.3A
导通电阻:59mΩ@1A,4.5V
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2501UFB4-7
包装方式:卷带(TR)
输入电容:82pF@16V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:2nC@10V
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V
连续漏极电流:1A
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2501UFB4-7
包装方式:卷带(TR)
输入电容:82pF@16V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:2nC@10V
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V
连续漏极电流:1A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS331N
包装方式:卷带(TR)
输入电容:162pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:5nC@4.5V
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@1.5A,4.5V
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
连续漏极电流:1.3A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":6000,"15+":1695}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSD816SNH6327XTSA1
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:0.6nC@2.5V
导通电阻:160mΩ@1.4A,2.5V
输入电容:180pF@10V
功率:500mW
阈值电压:950mV@3.7µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:1.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS214NWH6327XTSA1
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:0.8nC@5V
输入电容:143pF@10V
导通电阻:140mΩ@1.5A,4.5V
连续漏极电流:1.5A
功率:500mW
阈值电压:1.2V@3.7µA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6K211FE,LF
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
输入电容:510pF@10V
栅极电荷:10.8nC@4.5V
功率:500mW
阈值电压:1V@1mA
导通电阻:47mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6K403TU,LF
连续漏极电流:4.2A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
类型:N沟道
栅极电荷:16.8nC@4V
输入电容:1050pF@10V
导通电阻:28mΩ@3A,4V
功率:500mW
阈值电压:1V@1mA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD15380F3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
栅极电荷:0.281nC@10V
阈值电压:1.35V@2.5µA
功率:500mW
漏源电压:20V
输入电容:10.5pF@10V
导通电阻:1190mΩ@100mA,8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K35AMFV,L3F
栅极电荷:0.34nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
输入电容:36pF@10V
功率:500mW
阈值电压:1V@100µA
漏源电压:20V
导通电阻:1.1Ω@150mA,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6K211FE,LF
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
输入电容:510pF@10V
栅极电荷:10.8nC@4.5V
功率:500mW
阈值电压:1V@1mA
导通电阻:47mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6K211FE,LF
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
输入电容:510pF@10V
栅极电荷:10.8nC@4.5V
功率:500mW
阈值电压:1V@1mA
导通电阻:47mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K56CT,L3F
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
栅极电荷:1nC@4.5V
输入电容:55pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:N沟道
导通电阻:235mΩ@800mA,4.5V
功率:500mW
阈值电压:1V@1mA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS205NH6327XTSA1
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:3.2nC@4.5V
输入电容:419pF@10V
功率:500mW
阈值电压:1.2V@11µA
漏源电压:20V
连续漏极电流:2.5A
ECCN:EAR99
导通电阻:50mΩ@2.5A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K35AMFV,L3F
栅极电荷:0.34nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
输入电容:36pF@10V
功率:500mW
阈值电压:1V@100µA
漏源电压:20V
导通电阻:1.1Ω@150mA,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2250UFB-7B
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:1.35A
类型:N沟道
栅极电荷:3.1nC@10V
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
输入电容:94pF@16V
漏源电压:20V
导通电阻:170mΩ@1A,4.5V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K35CTC,L3F
栅极电荷:0.34nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
输入电容:36pF@10V
功率:500mW
阈值电压:1V@100µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
导通电阻:1.1Ω@150mA,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K122TU,LF
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:2A
栅极电荷:3.4nC@4V
导通电阻:123mΩ@1A,4V
功率:500mW
阈值电压:1V@1mA
输入电容:195pF@10V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: