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    ROHM Mosfet场效应管 RV2C002UNT2L 起订14个装
    ROHM Mosfet场效应管 RV2C002UNT2L 起订14个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RV2C002UNT2L

    工作温度:150℃

    功率:100mW

    阈值电压:1V@100µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12pF@10V

    连续漏极电流:180mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@150mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K35CT,L3F 起订2000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K35CT,L3F 起订2000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K35CT,L3F

    工作温度:150℃

    功率:100mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9.5pF@3V

    连续漏极电流:180mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@50mA,4V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    ROHM Mosfet场效应管 RV2C002UNT2L 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RV2C002UNT2L 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RV2C002UNT2L

    工作温度:150℃

    功率:100mW

    阈值电压:1V@100µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12pF@10V

    连续漏极电流:180mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@150mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K35CT,L3F 起订1000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K35CT,L3F 起订1000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K35CT,L3F

    工作温度:150℃

    功率:100mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9.5pF@3V

    连续漏极电流:180mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@50mA,4V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    ROHM Mosfet场效应管 RV2C002UNT2L 起订1000个装
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    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RV2C002UNT2L

    工作温度:150℃

    功率:100mW

    阈值电压:1V@100µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12pF@10V

    连续漏极电流:180mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@150mA,4.5V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    ROHM Mosfet场效应管 RV2C002UNT2L 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RV2C002UNT2L 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RV2C002UNT2L

    工作温度:150℃

    功率:100mW

    阈值电压:1V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12pF@10V

    连续漏极电流:180mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@150mA,4.5V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K35CT,L3F 起订30000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K35CT,L3F 起订30000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K35CT,L3F

    工作温度:150℃

    功率:100mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9.5pF@3V

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    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@50mA,4V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K35CT,L3F 起订1000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K35CT,L3F 起订1000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K35CT,L3F

    工作温度:150℃

    功率:100mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9.5pF@3V

    连续漏极电流:180mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@50mA,4V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K35CT,L3F 起订100个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K35CT,L3F 起订100个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K35CT,L3F

    工作温度:150℃

    功率:100mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9.5pF@3V

    连续漏极电流:180mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@50mA,4V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K35CT,L3F 起订17个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K35CT,L3F 起订17个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K35CT,L3F

    工作温度:150℃

    功率:100mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9.5pF@3V

    连续漏极电流:180mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@50mA,4V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    ROHM Mosfet场效应管 RV2C002UNT2L 起订500个装
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    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RV2C002UNT2L

    工作温度:150℃

    功率:100mW

    阈值电压:1V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12pF@10V

    连续漏极电流:180mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@150mA,4.5V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    ROHM Mosfet场效应管 RV2C002UNT2L 起订100个装
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    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RV2C002UNT2L

    工作温度:150℃

    功率:100mW

    阈值电压:1V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12pF@10V

    连续漏极电流:180mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@150mA,4.5V

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    ROHM Mosfet场效应管 RV2C002UNT2L 起订1000个装
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    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RV2C002UNT2L

    工作温度:150℃

    功率:100mW

    阈值电压:1V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12pF@10V

    连续漏极电流:180mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@150mA,4.5V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K35CT,L3F 起订2000个装
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    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K35CT,L3F

    工作温度:150℃

    功率:100mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9.5pF@3V

    连续漏极电流:180mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@50mA,4V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K35CT,L3F 起订11个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K35CT,L3F 起订11个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K35CT,L3F

    工作温度:150℃

    功率:100mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9.5pF@3V

    连续漏极电流:180mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@50mA,4V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    ROHM Mosfet场效应管 RV2C002UNT2L 起订6个装
    ROHM Mosfet场效应管 RV2C002UNT2L 起订6个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RV2C002UNT2L

    工作温度:150℃

    功率:100mW

    阈值电压:1V@100µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12pF@10V

    连续漏极电流:180mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@150mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    ROHM Mosfet场效应管 RV2C002UNT2L 起订5000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RV2C002UNT2L 起订5000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RV2C002UNT2L

    工作温度:150℃

    功率:100mW

    阈值电压:1V@100µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12pF@10V

    连续漏极电流:180mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@150mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K35CT,L3F 起订100个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K35CT,L3F 起订100个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K35CT,L3F

    工作温度:150℃

    功率:100mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9.5pF@3V

    连续漏极电流:180mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@50mA,4V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    ROHM Mosfet场效应管 RV2C002UNT2L 起订2000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RV2C002UNT2L 起订2000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RV2C002UNT2L

    工作温度:150℃

    功率:100mW

    阈值电压:1V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12pF@10V

    连续漏极电流:180mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@150mA,4.5V

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    ROHM Mosfet场效应管 RV2C002UNT2L 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RV2C002UNT2L 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RV2C002UNT2L

    工作温度:150℃

    功率:100mW

    阈值电压:1V@100µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12pF@10V

    连续漏极电流:180mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@150mA,4.5V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K35CT,L3F 起订500个装
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    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K35CT,L3F

    工作温度:150℃

    功率:100mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9.5pF@3V

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    导通电阻:3Ω@50mA,4V

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    ROHM Mosfet场效应管 RV2C002UNT2L 起订1000个装
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    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RV2C002UNT2L

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    功率:100mW

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    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

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    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@150mA,4.5V

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    ROHM Mosfet场效应管 RV2C002UNT2L 起订5000个装
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    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RV2C002UNT2L

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    阈值电压:1V@100µA

    包装方式:卷带(TR)

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    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@150mA,4.5V

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    ROHM Mosfet场效应管 RV2C002UNT2L 起订14个装
    ROHM Mosfet场效应管 RV2C002UNT2L 起订14个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RV2C002UNT2L

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    功率:100mW

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    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12pF@10V

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    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@150mA,4.5V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K35CT,L3F 起订5000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K35CT,L3F 起订5000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    规格型号(MPN):SSM3K35CT,L3F

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    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9.5pF@3V

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    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@50mA,4V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    ROHM Mosfet场效应管 RV2C002UNT2L 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RV2C002UNT2L 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RV2C002UNT2L

    工作温度:150℃

    功率:100mW

    阈值电压:1V@100µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12pF@10V

    连续漏极电流:180mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@150mA,4.5V

    漏源电压:20V

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    ROHM Mosfet场效应管 RV2C002UNT2L 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RV2C002UNT2L 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RV2C002UNT2L

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    阈值电压:1V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12pF@10V

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    导通电阻:2Ω@150mA,4.5V

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    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K35CT,L3F 起订17个装
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    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    规格型号(MPN):SSM3K35CT,L3F

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    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9.5pF@3V

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    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@50mA,4V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RV2C002UNT2L 起订14个装
    ROHM Mosfet场效应管 RV2C002UNT2L 起订14个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RV2C002UNT2L

    工作温度:150℃

    功率:100mW

    阈值电压:1V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12pF@10V

    连续漏极电流:180mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@150mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RV2C002UNT2L 起订2000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RV2C002UNT2L 起订2000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RV2C002UNT2L

    工作温度:150℃

    功率:100mW

    阈值电压:1V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12pF@10V

    连续漏极电流:180mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@150mA,4.5V

    漏源电压:20V

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