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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K16CT，L3F
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1.1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.3pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUM001L02T2CL
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.1pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUM001L02T2CL
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.1pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RE1C001UNTCL
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.1pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUM001L02T2CL
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.1pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K16CT，L3F
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1.1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.3pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RU1C001UNTCL
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.1pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RE1C001UNTCL
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.1pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RU1C001UNTCL
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.1pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RE1C001UNTCL
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.1pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CEDM7001 TR PBFREE
工作温度：-65℃~150℃
功率：100mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.57nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUM001L02T2CL
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.1pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUM001L02T2CL
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.1pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RE1C001UNTCL
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.1pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RE1C001UNTCL
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.1pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RU1C001UNTCL
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.1pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K16CT，L3F
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1.1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.3pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RU1C001UNTCL
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.1pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RU1C001UNTCL
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.1pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K16CT，L3F
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1.1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.3pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RE1C001UNTCL
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.1pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K16CT，L3F
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1.1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.3pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUM001L02T2CL
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.1pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RE1C001UNTCL
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.1pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RE1C001UNTCL
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.1pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RE1C001UNTCL
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.1pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RE1C001UNTCL
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.1pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUM001L02T2CL
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.1pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUM001L02T2CL
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.1pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CEDM7001 TR PBFREE
工作温度：-65℃~150℃
功率：100mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.57nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
